P型阱接触布局对于单粒子瞬态脉冲宽度的影响

针对40 nm体硅双阱工艺CMOS(complementary metal oxide semiconductor)反相器的单粒子瞬态敏感效应(single event transient,SET),通过3维TCAD(technology computer aided design)仿真软件模拟计算,研究了P阱接触面积对于单粒子敏感性的影响。仿真结果表明,重离子轰击N型有源区时,增大P阱接触面积可稳定器件的电势和减小双极放大效应,有效减小SET脉冲宽度;重离子轰击P型有源区时,器件受到多种效应影响,增大P阱接触面积虽能减小双极放大效应,但会产生强内建电场,加剧载流子漂移收集,导致SET脉冲宽度增加。此外,阱接触与晶体管的距离对SET脉冲宽度也有一定影响。研究结果表明,增大阱接触与晶体管之间的距离一定程度上可减小SET脉冲宽度,但在轰击P型有源区的情况下,增大阱接触与晶体管之间的距离反而会增大SET脉冲宽度。传统的加固手段对P型阱接触也有较好的作用,但在特定情况下会起到反作用。