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以SiC为连接层主相的SiC陶瓷及其复合材料连接研究进展 被引量:1
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作者 郭伟明 何盛金 +7 位作者 詹创添 薛佳祥 朱林林 吴利翔 马海滨 翟剑晗 陈原彬 林华泰 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第9期2527-2537,共11页
由于高脆性、高硬度、高耐磨等特点,SiC陶瓷较难直接加工成大型结构复杂的零部件,发展连接技术是推动其工程化应用的主要方法之一。在众多连接方法中,以SiC为连接层主相的连接方法制备的接头具有连接强度高、接头应力小、抗辐照、抗化... 由于高脆性、高硬度、高耐磨等特点,SiC陶瓷较难直接加工成大型结构复杂的零部件,发展连接技术是推动其工程化应用的主要方法之一。在众多连接方法中,以SiC为连接层主相的连接方法制备的接头具有连接强度高、接头应力小、抗辐照、抗化学腐蚀和耐高温等优势,成为SiC陶瓷连接重点关注的技术,包括纳米浸渍瞬态共晶相连接(NITE相连接)、硅—碳反应连接(Si—C反应连接)和前驱体连接。本工作从连接机理、连接工艺、接头成分、微观结构和连接强度等方面综述了上述3种以SiC为连接层主相的SiC陶瓷及其复合材料的连接技术,并对3种连接技术的优缺点进行了对比分析,最后对发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 碳化硅陶瓷连接 纳米浸渍瞬态共晶相连接 硅—碳反应连接 前驱体连接
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