一种低分子压裂液体系制备及性能评价

以含有磺酸基、酰氨基、羧基等多种功能性单体的低分子聚合物为稠化剂,有机锆为交联剂,制备了低分子聚合物冻胶,考察了相关因素对形成冻胶性能的影响,得到了以其作为稠化剂的压裂液配方。结果表明,在稠化剂用量为0.3%,交联比为100∶0.5,粘土稳定剂用量为0.5%,助排剂用量为1.0%时,配制的压裂液在温度为90℃,剪切速率为170 s-1的条件下,其粘度保持在60 mPa.s以上;在DC-04破胶剂用量为0.1%,温度为90℃时,2 h破胶液粘度为3.6 mPa.s。

双磺化剂型减水剂的合成及性能研究

以甲醛、丙酮和苯酚为原料,亚硫酸钠和对氨基苯磺酸为磺化剂,合成了一种双磺化剂型减水剂。通过比较产品对水泥分散性的影响,讨论了该减水剂与传统脂肪族减水剂(SAF)、氨基磺酸盐系减水剂(ASPF)的异同,测试比较了它们的性能,试验结果表明,当水灰比为0.35、减水剂固体掺量为0.4%时,双磺化剂型减水剂对水泥的分散性明显优于脂肪族减水剂,与氨基磺酸系减水剂的性能相近,其性价比较高。

一种高强度复合暂堵剂的研制及性能评价

以胍胶、无机填料、体膨颗粒等为原料,研制出了一种新型的复合暂堵剂。考察了相关因素对复合暂堵剂体系性能的影响,并通过岩芯流动实验测试了暂堵剂的封堵性能。实验结果表明:当胍胶溶液质量分数为0.8%,加量为65%,交联比为100∶0.2,体膨颗粒加量为0.6%,无机填料加量为30%时,复合暂堵剂体系初始流动性好,形成封堵段塞后抗压强度高,模拟实验的突破压力最大能达到29.51MPa,且破胶彻底,易于解堵。

超快激光在多晶硅还原炉的应用技术优化研究

针对电子级多晶硅还原炉底盘附着的残留物,研究超快激光技术在电子级多晶硅还原炉的应用。通过超快激光电子级多晶硅还原炉清洗设备结构,分析其清洗电子级多晶硅还原炉设备过程。选取试验材料、试剂和设备后,分别制备含有无定形硅粉、氯硅烷水解物、二氧化硅粉尘、甲基硅油油脂、多晶硅颗粒等污染物的基板作为还原炉污染样本;并以制备的还原炉污染样本为基础,设定初始条件和边界条件后,展开电子级多晶硅还原炉污染试件清洗试验。结果表明:污染物基本被去除;在不同清洗次数下,超快激光清洗时的重复频率和扫描速度越高,其清洗电子级多晶硅还原炉污染试件效果越好。

电子级多晶硅产品在还原过程中的影响因素

近些年来,我国的电子信息技术产业发展快速,尤其是高科技领域对于电子级高纯多晶硅的需求量有所增长,多晶硅材料已成为电子信息、电力产业和太阳能光伏产业最主要、最基础的功能性材料,本文主要介绍了电子级多晶硅在还原炉内的沉积过程受到反应温度、反应配比、气体流速、炉内压力、原料纯度等许多因素的影响,同时介绍了其与多晶硅的沉积质量和电耗之间的关系。

一种端羧基超支化聚酯阻垢剂的合成及其阻垢性能研究

针对多晶硅换热器运行过程结垢问题,以三羟甲基丙烷(TMP)为核、2,2-二羟甲基丙酸(DMPA)为AB2型聚合单体,合成端羟基超支化聚酯(HBP-OH),再以马来酸酐(MAH)进行端羟基改性,得到一种端羧基超支化聚酯(HBP-OMA)阻垢剂,考察了反应时间、反应温度、n(HBP-OH)∶n(MAH)对HBP-OMA阻垢性能的影响。确定HBP-OMA最佳合成工艺条件为:反应时间4.0 h、反应温度100℃、n(HBP-OH)∶n(MAH)=1∶1.5。当HBP-OMA阻垢剂添加量为7 mg·L^(-1)时,对碳酸钙的阻垢率达到96%左右,具有良好的阻垢性能。

电子级多晶硅生产尾气中无定型硅的产生原因及预防措施

文章通过分析SiHCl3氢还原与尾气回收工艺过程,寻找伴生无定型硅生成的客观原因;根据无定型硅少产生、早拦截的原则,提出电子级多晶硅生产中无定型硅的预防措施,可以有效减少无定型硅的产生,提高气相沉积过程循环氢气纯度,进而提升电子级多晶硅产品质量。

多晶硅还原生产中常见问题

随着我国半导体工业结构的调整,高纯多晶硅需求量不断增长,而多晶硅在还原炉内反应过程中受很多因素影响,浅谈了多晶硅在还原过程中常见问题,如夹层,倒棒、爆米花等现象,针对这些现象,分析原因,并提出相应处理措施。

电子级多晶硅循环氢气深冷分离除杂技术研究

通过分析多晶硅还原炉尾气回收装置循环氢气中杂质的种类、来源、去除工艺,确定采取循环氢气深冷分离除杂技术解决磷化氢、砷化氢在氢气循环过程中的累积趋势,可以有效分离循环氢气中70%磷化氢和95%砷化氢,保证还原炉化学气相沉积过程中循环氢气的纯度。

影响尾气回收装置循环氢气质量的因素分析

改良西门子法多晶硅生产尾气回收装置尾气粗分离单元、气体输送单元、氯化氢吸收单元、氯化氢解析单元、H2净化单元五个单元,还原炉尾气中杂质BC13,PC13,以及单质B,P等通过烟气吸收、加压冷凝,吸收解析,氢气净化过程中从氢气中分离,提纯后氢气送至还原炉循环利用。文章通过分析5个单元工艺流程中可能存在问题,并提出改进方向可以提高循环氢气杂质去除效果,保证还原炉化学气相沉积过程中循环氢气纯度。

浅谈电子级多晶硅的清洗工艺

表金属杂质含量是电子级多晶硅一项重要的质量指标,目前电子级多晶硅在降低表面金属杂质含量的除杂技术上主要以酸清洗为主,通过不同程度的表面刻蚀将表金属杂质控制在较低水平。文章主要对电子级多晶硅料化学清洗工艺,尤其从电子级多晶硅表金属控制中清洗液的选择方面进行相关的论述。

电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅去除工艺研究

对电子级多晶硅生产还原尾气中无定型硅产生原因进行分析,从还原炉工艺优化调整、尾气回收系统过滤除尘方面研究相对应无定型硅的去除工艺,可以有效降低无定型硅含量,进一步提高循环氢气质量,有助于提升电子级多晶硅产品质量。

电子级多晶硅生产中硅芯杂质的来源

硅芯在制造过程中和在还原炉初期沉积过程中不同程度受到杂质的污染,本论文针对硅棒生长过程中硅芯部位杂质来源,从石墨部件、惰性气体、硅芯制备工艺、洁净操作等各个环节的杂质污染情况着手试验研究,找到电子级多晶硅硅芯杂质的主要来源。

浅谈洁净用品在高纯多晶硅后处理过程中的重要性

高纯多晶硅作为电子材料的基石,其纯度及表金属杂质的控制是有严格要求的,当多晶硅通过一系列复杂的工艺从还原炉中生长出直至到下游厂家,其中的各个流程都有二次污染的风险,为了尽量减少或杜绝产品的污染,我们需要借助许多工具或物品设施来实现,这样就对过程中接触多晶硅的物品要求提出了考验,无论是运输车辆还是破碎工具等。文章针对在多晶硅后处理过程中为隔离杜绝人接触而污染产品的洁净用品分析探讨,重点从洁净手套方面分析高纯多晶硅后处理中质量保证的特殊性和重要性,从而对有效的控制管理措施提供科学的依据。

原生多晶硅切割方硅芯技术研究

硅芯作为多晶硅生产过程中还原炉沉积生长所用的载体,目前主要有硅芯炉拉制圆硅芯和线切割方硅芯两种生产方式,通过对圆硅芯和方硅芯多方面进行对比分析,因为圆硅芯在硅芯基料熔化凝固的拉制过程中特别容易受到一些杂质污染,所以重点对原生多晶硅棒切割方硅芯进行研究,方硅芯是由原生多晶硅棒直接切割而成,减少了外界杂质的污染,有利于减少硅芯杂质引入,大幅提升电子级多晶硅产品的质量。

电子级多晶硅还原炉用电极改造研究

本论文通过还原炉电极拉弧、电极击穿、电极冷却水反窜等问题分析,提出了新结构电极的设计方案,通过减小原电极锥度,增加电极接触面积和锥形头部的最小厚度,新结构电极在试验应用中取得了很好的效果,不仅解决了技术上的问题,同时降低了安全风险和生产成本,节能降耗效果显著,从而保证了多晶硅的产量和质量。

还原炉倒棒原因及改进措施研究

还原炉作为生产多晶硅的关键设备,生产多晶硅过程中常常出现倒棒现象,对还原炉产生严重损坏,重点针对硅棒沉积前期、中期、后期三个阶段倒棒的危害、原因进行分析,从还原炉喷嘴分布和大小、电极结构、石墨卡头结构、硅芯尺寸等方面进行改进,有利于降低还原炉硅棒倒棒率,提高生产效率,降低对还原炉设备的损坏。