等径角挤压和单向轧制高纯Al再结晶晶界面的取向分布

选用经多向锻造和再结晶退火的晶粒组织均匀（平均晶粒尺寸为20 mm）且取向均匀的高纯Al（99.99%）为原料,将2组平行样品分别进行等效应变e≈2的等径角挤压（ECAP）和单向轧制（DR）变形后,再经360℃再结晶退火8~90 min,利用基于体视学原理和电子背散射衍射技术（EBSD）的五参数分析法（FPA）对比研究了不同变形方式对高纯Al退火再结晶晶界面取向分布的影响.结果表明,经变形及360℃退火后,2组样品中其再结晶晶界面主要取向于低能稳定的{111},并主要对应于以为转轴的大角度扭转晶界.ECAP与DR样品退火后的主要差异在于,前者再结晶晶界面取向于{111}的过程较迟缓;后者再结晶晶界面比较容易取向于{111}.分析指出,DR变形更容易使高纯Al再结晶晶面取向于低能稳定的{111},更有益于晶界特征分布的优化.这与DR变形形成的//ND织构导致其再结晶退火过程中晶粒容易长大有关.