期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析 被引量:1
1
作者 陈君汉 《集成电路应用》 2017年第1期54-56,共3页
提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3D NAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者... 提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3D NAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者提升3D NAND Flash竞争力的技术之一。 展开更多
关键词 半导体存储器 3D NAND FLASH CELL on Peri
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部