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提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析
被引量:
1
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作者
陈君汉
《集成电路应用》
2017年第1期54-56,共3页
提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3D NAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者...
提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3D NAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者提升3D NAND Flash竞争力的技术之一。
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关键词
半导体存储器
3D
NAND
FLASH
CELL
on
Peri
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职称材料
题名
提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析
被引量:
1
1
作者
陈君汉
机构
武汉理工大学
出处
《集成电路应用》
2017年第1期54-56,共3页
文摘
提升3D NAND Flash竞争力将渐受重视,美光与英特尔阵营所开发Cell on Peri构造可缩减采3D NAND Flash解决方案的芯片面积,由于三星已提出类似的构造,且东芝亦可引进使3D NAND Flash与其系统LSI结合,Cell on Peri构造有机会成为相关业者提升3D NAND Flash竞争力的技术之一。
关键词
半导体存储器
3D
NAND
FLASH
CELL
on
Peri
Keywords
semiconductor memory, 3D NAND Flash, Cell on Peri
分类号
TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
提高3D NAND Flash竞争力的关键技术分析
陈君汉
《集成电路应用》
2017
1
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