SiO_2层对金刚石膜初期生长影响的研究

用俄歇子能谱（AES）研究了热丝法生长金刚石膜中未经划痕处理的单晶硅衬底在不同沉积时间下的表面结构及Si，C，O元素浓度的深度分布。结果表明：在沉积过程中，随沉积时间增加时，基材表面C浓度增加，O浓度下降，但SiC过渡层的生长缓慢。700℃沉积4h时仍无结构完整的SiC层生成，这是表面SiO2层阻碍了SiC的形成。分析了不经划痕处理的基材形核率低的原因。用高分辨电镜（HREM）观察了生长良好的金刚石膜的膜—基界面，发现没有SiO2层存在。

量子物质研究

1会议基本情况 2013杭州量子物质国际研讨会（2013Hangzhou Workshopon QuantumMatter）于4月21-25日在浙江大学紫金港校区召开。杭州量子物质国际研讨会是由成立于2009年以浙江大学和美国莱斯（Rice）大学为主体的浙江大学量子物质国际合作中心主办的年度系列会议。今年是自2009年以来的第5届会议。