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一种MFIS类结构的阈值电压新模型及其C—V特性分析
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作者 陈园琦 林殷茵 +1 位作者 汤庭鳌 夏立 《复旦学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期105-110,共6页
采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好.由该模型进一步得到了MFIS结构的C—V曲线,对C—V曲线物理... 采用物理和数学分析相结合的方法,构建了MFIS结构阈值电压的一种新的解析模型,对此解析模型的分析表明,铁电材料的介电常数越低,电滞回线的矩形度越好,MFIS结构的存储特性越好.由该模型进一步得到了MFIS结构的C—V曲线,对C—V曲线物理过程的分析表明,工作频率以及铁电电滞回线是否饱和对C—V特性有较大影响,而C—V曲线的窗口与MFIS结构存储特性密切相关. 展开更多
关键词 C-V特性 阈值电压 电滞回线 解析模型 工作频率 介电常数 铁电材料 存储特性 数学分析 曲线
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