氮化硅晶须的制备与显微结构

本文通过对Ｓｉ－Ｃ－Ｎ－Ｏ系统的热力学分析，利用ＳｉＯ＿２和石墨为原料分别在１２００～１３００℃和１２５０～１４００℃流动Ｎ＿２气氛中制备了α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须。并对Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的合成反应机理进行了讨论。

氮化硅晶须显微结构的研究

利用透射电子显微镜对气固相法制备的α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４和β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的显微结构进行了研究。实验发现α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须具有何（１０１０），（１０１１）和［０００１］三个生长方向，并且α－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须中有大量的生长缺陷。而β－Ｓｉ＿３Ｎ＿４晶须的生长方向只有（１０１０）一个，且几乎观察不到任何缺陷。

原位生长纤维状多型体AlN复合陶瓷材料的显微结构与力学性能

本文采用AlN-Y_2O_3-SiO_2,系制备出原位生长纤维状AlN多型体陶瓷复合材料,对其显微结构和生长机制进行了观察和研究,并测量其力学性能.实验结果表明,AlN-Y_2O_2-SiO_2系陶瓷复合材料的抗弯强度和断裂韧性较AlN陶瓷均有大幅度的提高,微观结构观察发现基体中存在大量共生的纤维状AlN多型体(27R,21R),系统中Y_2O_3不仅是原位生长复合AlN材料的致密剂,而且是纤维状多型体生长的媒介,SiO_2,是纤维状多型体生长的助生长剂,基体内纤维状多形体的存在提高了AlN陶瓷的强度和韧性。

Stability of Phases in SiC and Si_3N_4 Whisker Formation

The stability of the phases in equilibrium is calculated and discussed in order to analyse and predict the reactions in SiC and Si_3N_4 whisker formation.Equilibria among SiC,Si_3N_4,Si_2N_2O,SiO_2 and the gas phase are evaluated at different C activity,N_2 pressure,and temperature.According to the phase stability diagrams,Si_3N_4 whisker was formed with the increase of N_2 pressure and decrease of C activity;SiC whisker was stable with the increase of C activity and decrease of N_2 pressure.In order to control the impure phases during the whisker formation,O_2 partial pressure is the most important factor.