硅晶片化学机械抛光液的研究进展

硅晶片广泛应用于集成电路领域,对其表面质量和平整度提出了极高的要求。化学机械抛光(CMP)可对硅晶片表面实现局部和整体平坦化精细加工,抛光液是影响抛光质量和抛光效率的关键因素之一。本文归纳了抛光液中磨料、pH值调节剂、氧化剂、分散剂和表面活性剂等组成部分的作用及其研究进展,目的在于为硅片CMP抛光液的设计、制备和合理选用提供参考依据。