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香港九龙大坑东地下蓄水方案数值研究 被引量:3
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作者 匡翠萍 李行伟 +3 位作者 陈孝章 Peter Clark Nick Townsend Raymond Siu 《水科学进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期334-341,共8页
香港九龙大坑东地下蓄水方案(Tai Hang Tung Storage Scheme-THTSS)是香港西九龙渠道改善二期计划的一个重要组成部分,其目标是解决香港九龙繁华拥挤、人口稠密的商业中心旺角一带的洪水淹没问题。THTSS即是在经常洪水淹没区域(大坑东... 香港九龙大坑东地下蓄水方案(Tai Hang Tung Storage Scheme-THTSS)是香港西九龙渠道改善二期计划的一个重要组成部分,其目标是解决香港九龙繁华拥挤、人口稠密的商业中心旺角一带的洪水淹没问题。THTSS即是在经常洪水淹没区域(大坑东和界限街水渠交接处)上游足球场下面建立一个100 000 m3的地下蓄水池。本文建立了一个能处理明渠缓流和急流、封闭管道有压流、侧流堰和渠道汇合处过渡流于一体的一维水力数学模型,用1∶22正态物理模型恒定流下的结果进行验证。数值模型计算了在50年一遇暴雨下,非恒定洪水在不同的侧流堰方案下的流动过程。结合物理模型试验结果,选择最佳的地下蓄水方案。计算结果表明,大坑东地下蓄水方案确实能加强旺角地区地洪水控制能力,并能通过50年一遇暴雨的洪水。 展开更多
关键词 暴雨 洪水 大坑东 地下蓄水方案 侧流堰 50年一遇暴雨
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Temperature-switching logic in MoS2 single transistors
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作者 陈孝章 顾乐华 +4 位作者 刘岚 陈华威 栗敬俣 刘春森 周鹏 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2020年第9期464-469,共6页
Due to their unique characteristics,two-dimensional(2D)materials have drawn great attention as promising candidates for the next generation of integrated circuits,which generate a calculation unit with a new working m... Due to their unique characteristics,two-dimensional(2D)materials have drawn great attention as promising candidates for the next generation of integrated circuits,which generate a calculation unit with a new working mechanism,called a logic transistor.To figure out the application prospects of logic transistors,exploring the temperature dependence of logic characteristics is important.In this work,we explore the temperature effect on the electrical characteristic of a logic transistor,finding that changes in temperature cause transformation in the calculation:logical output converts from‘AND’at 10 K to‘OR’at 250 K.The transformation phenomenon of temperature regulation in logical output is caused by energy band which decreases with increasing temperature.In the experiment,the indirect band gap of MoS2 shows an obvious decrease from 1.581 eV to 1.535 eV as the temperature increases from 10 K to 250 K.The change of threshold voltage with temperature is consistent with the energy band,which confirms the theoretical analysis.Therefore,as a promising material for future integrated circuits,the demonstrated characteristic of 2D transistors suggests possible application for future functional devices. 展开更多
关键词 molybdenum disulfide(MoS2) LOGIC temperature dependence MOBILITY
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耆旧遗音
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作者 萧印唐 沈祖棻 +10 位作者 庞石帚 萧中仑 陈孝章 高石斋 刘君惠 庞俊 白敦仁 陈志宪 刘道和 高文 程会昌 《中国韵文学刊》 2009年第2期122-124,共3页
关键词 《耆旧遗音》 高阳台 文学作品
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