利用HWCVD在柔性衬底上制备多晶硅薄膜

通过热丝化学气相沉积法(Hot Wire Chemical Vapor Deposition,HWCVD),采用间歇供应硅烷气体,持续通入氢气的方式控制硅薄膜的生长,发现该方法在有机衬底上生长的薄膜结构为多晶相占主导地位。此外,研究了不同间歇周期条件下薄膜的形貌和结构,并对生长机理进行了解释和讨论。