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Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究
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作者 杨勇强 张贺秋 +6 位作者 薛东阳 梁红伟 夏晓川 徐瑞良 梁永凤 韩永坤 陈帅昊 《大连理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2021年第5期531-536,共6页
制备了Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件.对器件的氢传感特性测试表明,Pd/Pt合金修饰的器件的氢响应和响应(恢复)速率要优于Pd和Pt单独修饰的器件,Pd和Pt质量比为2 mg∶1 mg的氢传感器具有最佳的氢传感性能.对吸附平... 制备了Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件.对器件的氢传感特性测试表明,Pd/Pt合金修饰的器件的氢响应和响应(恢复)速率要优于Pd和Pt单独修饰的器件,Pd和Pt质量比为2 mg∶1 mg的氢传感器具有最佳的氢传感性能.对吸附平衡的稳态分析进一步证实了这一结论.室温下氢体积分数为0.1%,氢气通入流速为200 mL/min时,Pd/Pt(2 mg∶1 mg)样品的电流变化为0.249 mA,响应时间和恢复时间分别为41 s和42 s.此外,测试温度增加到55℃也进一步提高了器件对氢气的响应和响应速率. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管 Pd/Pt合金 氢传感器 氢吸附
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AlGaN/GaN HEMT器件的高温小信号模型分析
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作者 韩永坤 张贺秋 +7 位作者 陈帅昊 薛东阳 刘力涛 徐瑞良 梁永凤 梁红伟 夏晓川 梁晓华 《中国科技论文在线精品论文》 2021年第2期253-260,共8页
基于GaN材料的耐高温、抗辐照等优越特性,使其与Si材料相比,更适用于航空航天以及太空探测领域.本文采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)作为探测器的前置放大电路,并测试了HEMT器件在不同工作温... 基于GaN材料的耐高温、抗辐照等优越特性,使其与Si材料相比,更适用于航空航天以及太空探测领域.本文采用AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)作为探测器的前置放大电路,并测试了HEMT器件在不同工作温度时的S参数,对器件的小信号模型参数进行提取,得出AlGaN/GaN HEMT器件小信号等效高温电路模型的参数变化.结果表明,温度升高对器件小信号模型的本征参数会有很大的影响,因此高温情况下的小信号建模仍然必不可少. 展开更多
关键词 半导体技术 高电子迁移率晶体管 高温 小信号模型 参数提取
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