超高频感应加热功率组件MOSFET突波抑制探讨

本文主要探讨超高频电磁感应加热供电器MOSFET功率组件，于应用时，为达到高稳定度需加考量的相关技术与要点，包括以零电压切换技术来达到突波抑制、防止功率组件震荡的MOSFET小信号模式分析、RBSOA的量测、MOSFET失效检视等课题，研究建构于3kW超高频感应加热供电器，工作频率最高可达1MHz．硬件架构采用串联共振系统，藉此供电器进行相关课题探讨研究。