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AT切型石英晶圆抛光工艺对材料去除速率及厚度非均匀性的影响
被引量:
1
1
作者
万杨
陈庚豪
+2 位作者
栾兴贺
周龙早
吴丰顺
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第3期427-434,共8页
通过双面抛光工艺研究了抛光盘转速、抛光盘压力及抛光垫材质与厚度等对AT切型石英晶圆材料去除速率(MRR)与厚度非均匀性(TNU)的影响。实验结果表明,抛光盘压力越大、转速越高,材料去除速率越高;晶圆厚度非均匀性随抛光盘压力增加先减...
通过双面抛光工艺研究了抛光盘转速、抛光盘压力及抛光垫材质与厚度等对AT切型石英晶圆材料去除速率(MRR)与厚度非均匀性(TNU)的影响。实验结果表明,抛光盘压力越大、转速越高,材料去除速率越高;晶圆厚度非均匀性随抛光盘压力增加先减小后增加,随抛光盘转速增加而增加;杨氏模量越大、厚度越薄的抛光垫在晶圆表面产生的压力分布越均匀,有助于提高抛光均匀性。最后基于上述实验结果对抛光工艺参数进行了优化,优化后晶圆的材料去除速率为0.9μm/h、单片晶圆厚度非均匀性小于1.5‰、表面粗糙度为0.6 nm。该研究结果适用于石英晶圆的批量抛光工艺,对石英晶圆加工企业的抛光工艺优化有较高的参考价值。
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关键词
石英晶圆
双面抛光
材料去除速率(MRR)
厚度非均匀性(TNU)
有限元分析
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职称材料
题名
AT切型石英晶圆抛光工艺对材料去除速率及厚度非均匀性的影响
被引量:
1
1
作者
万杨
陈庚豪
栾兴贺
周龙早
吴丰顺
机构
华中科技大学材料科学与工程学院
微纳米晶体加工技术湖北省重点实验室
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第3期427-434,共8页
基金
国家自然科学基金(62074062,61574068)
湖北省重点研发计划项目(2020BAA014)。
文摘
通过双面抛光工艺研究了抛光盘转速、抛光盘压力及抛光垫材质与厚度等对AT切型石英晶圆材料去除速率(MRR)与厚度非均匀性(TNU)的影响。实验结果表明,抛光盘压力越大、转速越高,材料去除速率越高;晶圆厚度非均匀性随抛光盘压力增加先减小后增加,随抛光盘转速增加而增加;杨氏模量越大、厚度越薄的抛光垫在晶圆表面产生的压力分布越均匀,有助于提高抛光均匀性。最后基于上述实验结果对抛光工艺参数进行了优化,优化后晶圆的材料去除速率为0.9μm/h、单片晶圆厚度非均匀性小于1.5‰、表面粗糙度为0.6 nm。该研究结果适用于石英晶圆的批量抛光工艺,对石英晶圆加工企业的抛光工艺优化有较高的参考价值。
关键词
石英晶圆
双面抛光
材料去除速率(MRR)
厚度非均匀性(TNU)
有限元分析
Keywords
quartz wafer
double-sided polishing
material removal rate(MRR)
thickness nonuniformity(TNU)
finite element analysis
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
AT切型石英晶圆抛光工艺对材料去除速率及厚度非均匀性的影响
万杨
陈庚豪
栾兴贺
周龙早
吴丰顺
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023
1
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