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图形反转工艺用于金属层剥离的研究
被引量:
6
1
作者
陈德鹅
吴志明
+3 位作者
李伟
王军
袁凯
蒋亚东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期535-538,共4页
研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,...
研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘温度100℃,时间60s,曝光时间0.3s,反转烘温度110℃,时间90s,泛曝光时间2s,显影时间50s。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论。
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关键词
光刻
AZ-5214
剥离工艺
图形反转
断面模拟
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职称材料
Nikon步进重复光刻机的对位机制
被引量:
2
2
作者
陈德鹅
吴志明
+3 位作者
王军
袁凯
何峰
蒋亚东
《微处理机》
2009年第6期1-3,7,共4页
具体探讨了Nikon步进重复光刻机掩膜版和硅片的对位过程及硅片对位结果的检测方法。分析了硅片对位过程中产生的对偏现象,用EGA算法对对偏进行计算和补偿,同时探讨了对偏产生的原因及对应的处理方法,给掩膜—硅片的对位过程中出现的问...
具体探讨了Nikon步进重复光刻机掩膜版和硅片的对位过程及硅片对位结果的检测方法。分析了硅片对位过程中产生的对偏现象,用EGA算法对对偏进行计算和补偿,同时探讨了对偏产生的原因及对应的处理方法,给掩膜—硅片的对位过程中出现的问题提供了解决方案。
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关键词
光刻
硅片对位
对偏
算法
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职称材料
C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
3
作者
金鑫
李伟
+3 位作者
蒋亚东
廖乃镘
陈宇翔
陈德鹅
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期715-718,723,共5页
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si...
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si∶H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si∶H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si∶H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si∶H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势。
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关键词
PECVD
氢化非晶硅薄膜
P—C复合掺杂
微结构
暗电导率
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职称材料
题名
图形反转工艺用于金属层剥离的研究
被引量:
6
1
作者
陈德鹅
吴志明
李伟
王军
袁凯
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期535-538,共4页
基金
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896)
文摘
研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘温度100℃,时间60s,曝光时间0.3s,反转烘温度110℃,时间90s,泛曝光时间2s,显影时间50s。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论。
关键词
光刻
AZ-5214
剥离工艺
图形反转
断面模拟
Keywords
optical lithography
AZ-5214
lift-off technology
image reverse
section analog
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
Nikon步进重复光刻机的对位机制
被引量:
2
2
作者
陈德鹅
吴志明
王军
袁凯
何峰
蒋亚东
机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《微处理机》
2009年第6期1-3,7,共4页
文摘
具体探讨了Nikon步进重复光刻机掩膜版和硅片的对位过程及硅片对位结果的检测方法。分析了硅片对位过程中产生的对偏现象,用EGA算法对对偏进行计算和补偿,同时探讨了对偏产生的原因及对应的处理方法,给掩膜—硅片的对位过程中出现的问题提供了解决方案。
关键词
光刻
硅片对位
对偏
算法
Keywords
Lithography
Silicon alignment
Misalignment
Algorithm
分类号
TN305.7 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
3
作者
金鑫
李伟
蒋亚东
廖乃镘
陈宇翔
陈德鹅
机构
电子科技大学光电信息学院
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期715-718,723,共5页
文摘
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si∶H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si∶H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si∶H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si∶H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势。
关键词
PECVD
氢化非晶硅薄膜
P—C复合掺杂
微结构
暗电导率
Keywords
PECVD
a-Si : H thin film
P-C compo-doping
microstructure
dark conductivity
分类号
TN484.1 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
图形反转工艺用于金属层剥离的研究
陈德鹅
吴志明
李伟
王军
袁凯
蒋亚东
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
6
下载PDF
职称材料
2
Nikon步进重复光刻机的对位机制
陈德鹅
吴志明
王军
袁凯
何峰
蒋亚东
《微处理机》
2009
2
下载PDF
职称材料
3
C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响
金鑫
李伟
蒋亚东
廖乃镘
陈宇翔
陈德鹅
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2009
0
下载PDF
职称材料
已选择
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