图形反转工艺用于金属层剥离的研究

研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘温度100℃,时间60s,曝光时间0.3s,反转烘温度110℃,时间90s,泛曝光时间2s,显影时间50s。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论。

Nikon步进重复光刻机的对位机制

具体探讨了Nikon步进重复光刻机掩膜版和硅片的对位过程及硅片对位结果的检测方法。分析了硅片对位过程中产生的对偏现象,用EGA算法对对偏进行计算和补偿,同时探讨了对偏产生的原因及对应的处理方法,给掩膜—硅片的对位过程中出现的问题提供了解决方案。

C元素对N型a-Si∶H薄膜微结构及电学特性的影响

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光谱研究了C元素对薄膜微结构的影响,讨论了P-C二元复合掺杂a-Si∶H薄膜电学性能与微结构之间的相互影响关系。结果表明:随着C掺杂量的增加,a-Si∶H薄膜的短程有序度降低,中程有序度基本保持不变,缺陷逐渐减少;一定程度的C掺杂可使N型a-Si∶H薄膜电导激活能降低而使薄膜的暗电导率升高,但过量的C掺杂使N型a-Si∶H薄膜非晶网络结构有序度严重恶化,电导率出现明显下降趋势。