使用循环伏安法和电位阶跃法研究了希瓦氏菌MR-1野生株及其突变株omc A-mtrc对玻碳电极表面电沉积Cd的影响.发现加入希瓦氏菌野生株后:(1)Cd在玻碳电极表面的电沉积峰电位明显负移;(2)当扫描速率较低(20 m V·s-1)且进入第二圈扫描...使用循环伏安法和电位阶跃法研究了希瓦氏菌MR-1野生株及其突变株omc A-mtrc对玻碳电极表面电沉积Cd的影响.发现加入希瓦氏菌野生株后:(1)Cd在玻碳电极表面的电沉积峰电位明显负移;(2)当扫描速率较低(20 m V·s-1)且进入第二圈扫描时,Cd的电沉积过程分两步Cd(II)-Cd(I)-Cd进行;(3)通过电位阶跃实验得出Cd(II)扩散到玻碳电极表面的速率变得缓慢;(4)Cd在玻碳电极表面的电沉积过程由连续三维成核转变成瞬时三维成核过程;加入突变株后,Cd(II)扩散到玻碳电极表面的速率更加缓慢,它的电沉积过程为瞬时三维成核过程.扫描电子显微镜的结果也正好证实了该影响机制.展开更多
文摘使用循环伏安法和电位阶跃法研究了希瓦氏菌MR-1野生株及其突变株omc A-mtrc对玻碳电极表面电沉积Cd的影响.发现加入希瓦氏菌野生株后:(1)Cd在玻碳电极表面的电沉积峰电位明显负移;(2)当扫描速率较低(20 m V·s-1)且进入第二圈扫描时,Cd的电沉积过程分两步Cd(II)-Cd(I)-Cd进行;(3)通过电位阶跃实验得出Cd(II)扩散到玻碳电极表面的速率变得缓慢;(4)Cd在玻碳电极表面的电沉积过程由连续三维成核转变成瞬时三维成核过程;加入突变株后,Cd(II)扩散到玻碳电极表面的速率更加缓慢,它的电沉积过程为瞬时三维成核过程.扫描电子显微镜的结果也正好证实了该影响机制.
