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Unconventional phase transition of phase-change-memory materials for optical data storage 被引量:1
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作者 陈念科 李贤斌 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2019年第10期73-82,共10页
Recent years, optically controlled phase-change memory draws intensive attention owing to some advanced applications including integrated all-optical nonvolatile memory, in-memory computing, and neuromorphic computing... Recent years, optically controlled phase-change memory draws intensive attention owing to some advanced applications including integrated all-optical nonvolatile memory, in-memory computing, and neuromorphic computing. The light-induced phase transition is the key for this technology. Traditional understanding on the role of light is the heating effect. Generally, the RESET operation of phase-change memory is believed to be a melt-quenching-amorphization process. However, some recent experimental and theoretical investigations have revealed that ultrafast laser can manipulate the structures of phase-change materials by non-thermal effects and induces unconventional phase transitions including solid-to-solid amorphization and order-to-order phase transitions. Compared with the conventional thermal amorphization,these transitions have potential superiors such as faster speed, better endurance, and low power consumption. This article summarizes some recent progress of experimental observations and theoretical analyses on these unconventional phase transitions. The discussions mainly focus on the physical mechanism at atomic scale to provide guidance to control the phase transitions for optical storage. Outlook on some possible applications of the non-thermal phase transition is also presented to develop new types of devices. 展开更多
关键词 light-matter interaction PHASE-CHANGE MEMORY NON-THERMAL phase transition optical data storage
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铜纳米线拉伸断裂过程的原子尺度分子动力学模拟
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作者 陈念科 李贤斌 《吉林大学学报(理学版)》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1039-1043,共5页
基于经典力学势函数的分子动力学模拟方法研究铜纳米线的拉伸断裂过程,并分析断裂前应力、应变和位错行为的关系及断裂后的形貌演化.结果表明:纳米线两端的锥形结构可阻塞位错运动,从而提高其断裂强度;断裂后断口处尖锐的尖端结构形貌... 基于经典力学势函数的分子动力学模拟方法研究铜纳米线的拉伸断裂过程,并分析断裂前应力、应变和位错行为的关系及断裂后的形貌演化.结果表明:纳米线两端的锥形结构可阻塞位错运动,从而提高其断裂强度;断裂后断口处尖锐的尖端结构形貌会发生自发的回缩和钝化,该过程是尖端上储存的弹性能和的高能结构(如孤立原子、孪晶界和表面弯折等)的自我修复,最终在表面上形成许多能量较低的(111)小平面所致;其物理机理是在温度激活下的能量最小化过程. 展开更多
关键词 铜纳米线 材料断裂 位错运动 微观形貌
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物理截断与电子局域函数结合法研究非晶态结构中的原子成键 被引量:1
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作者 王鑫洋 陈念科 +4 位作者 王雪鹏 张斌 陈志红 李贤斌 刘显强 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第17期269-275,共7页
本文将常用的键长物理截断方法与电子局域函数方法相结合,用于分析共价系统的非晶态结构,得到了更合理的原子成键信息,提高了非晶态结构模型分析的可靠性.以相变存储材料GeTe合金为例,通过采用上述方法详细研究了GeTe合金非晶态中原子... 本文将常用的键长物理截断方法与电子局域函数方法相结合,用于分析共价系统的非晶态结构,得到了更合理的原子成键信息,提高了非晶态结构模型分析的可靠性.以相变存储材料GeTe合金为例,通过采用上述方法详细研究了GeTe合金非晶态中原子间成键及结构信息,确定了其合理的成键物理截断长度为3.05?,电子局域函数阈值为0.63.研究结果显示,当电子局域函数的数值由0.58逐渐增大至0.63时,结构中所截断的化学键大部分是强度较弱的非同质键(即Ge—Te键),而强度较强的Ge—Ge键的数量几乎不变.对Ge原子配位数和其键角分布等结构信息的分析表明,Ge原子以3配位和4配位为主,其中3配位的Ge原子主要是以缺陷八面体形式存在,而4配位的Ge原子则主要以四面体的形式存在.此外,在本研究工作中所建立的确定成键物理截断长度及电子局域函数阈值的方法也可以应用于其他具有共价键性质的非晶态材料研究. 展开更多
关键词 物理截断 电子局域函数 配位数 键角分布
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电气工程自动化控制中 PLC 技术的应用策略
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作者 陈念科 《电子乐园》 2019年第2期0181-0182,0262,共3页
在我国社会的快速发展中,我国的诸多行业都为国家起到了突出贡献作用。其中我国的电气行业一直处于领先地位,电气工程 自动化控制中的 PLC 技术为电气行业的应用提供了高质量。PLC 技术成为了电气工程自动化行业中的重中之重。本文主要... 在我国社会的快速发展中,我国的诸多行业都为国家起到了突出贡献作用。其中我国的电气行业一直处于领先地位,电气工程 自动化控制中的 PLC 技术为电气行业的应用提供了高质量。PLC 技术成为了电气工程自动化行业中的重中之重。本文主要分析了电气工程 自动化控制中的 PLC 技术在社会产业中的应用,并对此加以分析。 展开更多
关键词 电气工程 自动化控制 PLC技术 应用分析 计算机
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超快激光诱导固体非热相变及其原子机理进展 被引量:2
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作者 陈念科 黄宇婷 +1 位作者 李贤斌 孙洪波 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第2期3-12,共10页
激光诱导的相变是超短脉冲激光对材料进行加工改性的关键物理过程。由热效应驱动的光致相变通常都源于材料无序化,例如熔化或蒸发。在此情况下,光对材料原子尺度的控制力面临困难,加工改性的精度受限。而短脉冲的非热效应可以实现更高... 激光诱导的相变是超短脉冲激光对材料进行加工改性的关键物理过程。由热效应驱动的光致相变通常都源于材料无序化,例如熔化或蒸发。在此情况下,光对材料原子尺度的控制力面临困难,加工改性的精度受限。而短脉冲的非热效应可以实现更高精度的相变控制,但是由于光与物质的相互作用过程复杂,相关机理仍在探索之中。介绍了近年来超短脉冲激光诱导非热相变的实验观测结果以及相应的机理研究进展,重点对比介绍了几种可以描述原子尺度机制的理论方法和超快激光在相变材料中诱导非热相变的动力学机理。最后讨论了理论机理对激光控制相变的参考意义。 展开更多
关键词 超快光学 光与物质相互作用 非热相变 物理机制 第一性原理计算
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