亚波长浮雕结构的红外抗反射研究

基于等效媒质理论 ,对周期性浮雕结构的抗反射特性进行了分析和研究 .给出了二维对称的抗反射浮雕结构等效光学参数的估算方法 .提出了基于最小特征尺寸考虑的脊基和隙空的设计概念 .利用离子束刻蚀工艺技术 ,在 Si片上制备了一种两维红外抗反射浮雕图案 .测试结果表明 ,这种表面结构像单层抗反射膜一样 ,具有很好的增透效果 ,表面结构的等效折射率相当于镀层材料折射率 ,而刻蚀深度则相当于镀层的 1/ 4波长厚度 .

亚波长结构抗反射表面的设计方法

对亚波长结构抗反射表面的设计原理和设计方法进行了较详细的论述 .基于等效媒质近似理论 ,给出了一维光栅结构的等效折射率 .描述了二维对称结构的一维近似分析方法及其等效折射率估算方法 .为得到大的特征尺寸 。

亚波长结构二元衍射微透镜的设计方法

分析了基于标量衍射理论的位相型衍射微透镜的光学行为 ,结合等效媒质理论提出了二元衍射微透镜的一种新的亚波长结构近似设计方法。根据标量理论位相量化的概念 ,分析连续浮雕透镜的相移函数 ,结合等效媒质理论的等效折射率表达式 ,可以确定亚波长结构透镜的面型函数。

硅基SiO_2平面光波导中硼磷硅玻璃覆盖层的制备和研究

利用等离子体增强化学气相沉积方法,在S iH4/N2O反应气体中掺入PH3和B2H6制备了用于硅基S iO2平面光波导的硼磷硅玻璃覆盖层.分析了磷掺杂和硼掺杂对折射率的影响,提出了选择掺杂气体流量匹配折射率的方法.研究了退火温度和气氛对膜层性能的影响,高温退火使膜层的折射率趋于稳定,对光的吸收损耗减小;采用氧气退火可以抑制和消除氮气退火时膜层中出现的不透明的微晶粒,改善膜层质量.采用多步沉积退火方法,消除了台阶覆盖中出现的空洞和气泡,得到了台阶的覆盖性和覆盖平坦度都较好的硼磷硅玻璃膜层.

一种制作可变光衰减片的新方法

介绍了一种制作可变光衰减器用衰减片的新方法,即采用曲线型沉积孔挡板,结合基片旋转,在玻璃基底上获得厚度线性变化的溅射金属膜层,形成可变光衰减器。

128×128 PtSi红外焦平面用硅衍射微透镜阵列的设计与制备

通过考虑互相关联的光学和工艺参数 ,设计了 3～ 5 μm红外 12 8× 12 8硅衍射微透镜阵列 .阵列中微透镜的孔径为 5 0 μm,透镜 F数为 f/ 2 .5 ,微透镜阵列的中心距为 5 0 μm.采用多次光刻和离子束刻蚀技术在硅衬底表面制备衍射微透镜阵列 .对实际的工艺过程和制备方法进行了讨论 ,对制备出的 12 8× 12 8硅衍射微透镜阵列的光学性能和表面浮雕结构进行了测量 .

SiO_2平面光波导的PECVD制备和膜层特性研究

研究了等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)的光波导膜层的光学特性,论述了沉积工艺参量和退火处理对膜层性能的影响,优化工艺获得了高质量的波导膜层,成功设计制作了在1 550 nm中心波长损耗低于0.1 dB/cm的平面光波导和阵列波导光栅(AWG)器件。

单纤三向器件平面光波导芯片结构优化设计

文章对采用平面光波导技术的单纤三向器件(Triplexer)芯片结构的参数进行了优化设计,对单元结构的光谱响应进行了模拟计算,通过数值模拟分析了结构的工艺容差性。结果表明,采用双模耦合器和M-Z干涉仪结构可以得到工艺容差性高、光谱响应优良的适用的Triplexer器件。

恢复connexin26表达联合载酵母菌胞嘧啶脱氨酶自杀基因纳泡杀灭膀胱癌细胞

目的分析载双基因的阳离子纳泡联合超声靶向微泡破坏技术进行基因转染的有效性,探索恢复或上调膀胱癌细胞的缝隙连接蛋白connexin26(Cx26)表达,能否增强自杀基因系统(yeast cytosine deaminase/5-fluorocytosine,YCD/5-FC)的旁观者效应,提高杀灭肿瘤细胞的效率。方法阳离子纳泡结合超声辐照(US)转染人膀胱癌T24细胞,荧光显微镜及流式细胞仪观测转染效率;qRT-PCR和Western blot检测质粒转染后的mRNA或蛋白相对表达量。将实验分为无处理空白对照、载pc DNA3.1-EGFP纳泡组、载Cx26纳泡组、载YCD纳泡组、载YCD+Cx26纳泡组;通过流式细胞术观察恢复Cx26表达后对膀胱癌细胞凋亡的影响。结果 qRT-PCR、Western blot显示纳泡结合超声辐照成功将目的基因转染并有效表达。恢复Cx26表达后,载YCD+Cx26纳泡组的细胞凋亡率为(60.68±2.61)%,明显高于单载YCD纳泡组的(46.42±2.13)%,差异有统计学意义(P<0.01)。结论恢复缝隙连接蛋白Cx26表达,可改善细胞间通讯连接,加强自杀基因系统YCD/5-FC的旁观者效应,促进肿瘤细胞凋亡,提高杀灭膀胱癌细胞的效率。

温度不敏感阵列波导光栅

文章详细论述了温度不敏感平面阵列波导光栅(AWG)的设计原理和几种主要的实现方法,如针对硅基二氧化硅AWG的负热光系数材料嵌入补偿方法、负热光系数材料上包层补偿方法、双金属片应力补偿方法和移动输入波导补偿方法等,并列举了采用这些方法的实际例子和补偿效果.

光插分复用器中基于Athermal-AWG的OPM系统分析

基于衍射型OPM(Optical Power Monitor)能够在设定的波长范围内对不同波长的光信号进行实时采样,其稳定性好并能快速测量。采用阵列波导光栅对波分复用信号进行分解复用,不同波长的光信号分别经过相应的分束器,探测器阵列对各路通道的光进行探测。探测器阵列能够探测出各波长的光功率、光电流以及插入损耗,计算出耦合后的响应度。分析响应度和插入损耗与波长的关系,得出此结构系统能够应用在光差分复用器中。

亚波长结构对10.6μm的抗反射表面的研制

运用等效媒质理论对亚波长结构的抗反射表面进行了分析 ,设计出了一种抗反射表面结构 ,并利用二元光学制作工艺技术 ,对这种表面进行了实验制备。测试结果表明 ,这种表面结构就像单层抗反射膜一样 ,具有很好的增透效果 ,表面结构的等效折射率相当于镀层材料折射率 。

二元衍射微透镜的亚波长结构设计方法

本文结合标量衍射理论和等效媒质理论提出了二元衍射微透镜的亚波长设计新方法。根据标量理论位相量化的概念 ,分析连续浮雕透镜的相移函数 ,结合等效媒质理论的等效折射率表达式 。

128×128硅衍射微透镜阵列的设计与制备

通过考虑互相关联的光学和工艺参数 ,设计了 3～ 5μm红外 12 8× 12 8硅衍射微透镜阵列。阵列中微透镜的孔径为 10 0μm,透镜 F数为 f / 1.5,微透镜阵列的中心距为 10 0μm。采用多次光刻和离子束刻蚀技术在硅衬底表面制备衍射微透镜阵列。对实际的工艺过程和制备方法进行了讨论 ,对制备出的 12 8× 12 8硅衍射微透镜阵列的光学性能和表面浮雕结构进行了测量。

泌尿系结石行微创取石术并输尿管支架置入相关并发症的危险因素分析

目的分析泌尿系结石行微创取石术并输尿管支架置入相关并发症的危险因素。方法回顾性分析2019年1月至2019年12月本院行微创取石术并置入输尿管支架的260例泌尿系结石患者,采用输尿管支架症状问卷(USSQ)对患者的泌尿系统症状等进行问卷调查,采用X线片对输尿管支架情况进行检查,统计相关并发症的发生情况,采用单因素分析和多因素logistic回归分析并发症的危险因素。结果最终纳入245例患者,发生疼痛160例(65.31%)、血尿156例(63.67%)、膀胱刺激症状122例(49.80%)、输尿管支架石垢形成66例(26.94%)、输尿管内支架移位12例(4.90%)。有结石残留(P=0.026)是发生疼痛的危险因素;有结石残留(P<0.001)、每日活动量多(P<0.001)及每日饮水量少(P<0.001)是发生血尿的危险因素;有结石残留(P=0.003)、每日活动量多(P=0.028)及每日饮水量少(P<0.001)是发生膀胱刺激症状的危险因素;支架留置时间长(P=0.002)、有结石残留(P=0.010)及每日饮水量少(P=0.013)是形成输尿管支架石垢的危险因素;低体重指数(BMI)(P=0.021)、支架留置时间长.(P<0.001)及每日活动量多(P=0.002)是发生输尿管支架移位的危险因素。结论输尿管支架相关并发症的危险因素较多,减少结石残留、适当活动、多饮水、适机拔管有利于降低相关并发症的发生。

肾结石患者术后泌尿系感染与结石复发的影响因素分析

目的分析肾结石患者术后泌尿系感染与结石复发的影响因素及其相关性.方法回顾性分析2016年2月至2018年2月于本院接受微创手术治疗的100例肾结石患者的临床资料.按照术后1个月内是否发生泌尿系感染,将患者分为感染组(发生泌尿系感染,24例)和未感染组(未发生泌尿系感染,76例);此外,根据术后1年内是否出现结石复发,将患者分为复发组(出现结石复发,27例)和未复发组(未出现结石复发,73例).分析肾结石术后泌尿系感染与结石复发的影响因素.结果单因素logistic回归分析结果显示,年龄、住院时间、术前尿白细胞计数(WBC)+++的感染性结石均是肾结石患者术后泌尿系感染的影响因素(均P<0.05).多因素logistic回归分析结果显示,年龄、住院时间均是肾结石患者术后泌尿系感染的独立危险因素(OR=15.935、9.846,95%CI:13.853~20.643、8.075~12.972,均P<0.05,).而术前尿WBC+++的感染性结石则不是其影响因素(OR=0.455,P=0.235,95%CI:0.221~0.246).单因素logistic回归分析结果显示,年龄、住院时间、术前尿WBC+++的感染性结石、术后泌尿系感染均是肾结石患者术后结石复发的影响因素(均P<0.05).多因素logistic回归分析显示,术后泌尿系感染是肾结石患者术后结石复发的独立危险因素(OR=8.805,P<0.001,95%CI:6.224~14.853).而术前尿WBC+++的感染性结石则不是其影响因素(OR=0.304,P=0.134,95%CI:0.122~0.145).结论肾结石患者术后泌尿系感染的危险因素包括年龄、住院时间;而结石复发的危险因素为术后泌尿系感染.临床工作中应针对上述各项危险因素进行干预,从而降低肾结石患者术后泌尿系感染以及结石复发的风险.