新型双色有机电致磷光器件

所研究的有机电致磷光发光器件(OLED)选用了一种新型金属铱的化合物Ir(C6)2(acac),这种金属化合物由配位体香豆素C6和乙酰丙酮(acac)与金属铱化合形成。Ir(C6)2(acac)可同时作为电子传输材料和发光掺杂剂。比较香豆素C6和Ir(C6)2(acac)固体材料的光致发光谱,可见Ir(C6)2(acac)明显抑制了有机电致发光材料分子与分子之间的发光猝灭效应。采用ITO/TPD (N,N′-diphenyl- N,N′-bis (3-methyl-phenyl)-1,1′biphenyl-4,4′diamine)/Ir(C6)2(acac)/BAlq(bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1′-biphenyl-4-olato) aluminum)/Alq3aluminum/Liq(8-hydroxyquinoline lithium)/Al结构,可得到CIE (Commission Interationaled′Eclairage)值为x=0.43;y=0.40的橙红色发光器件,最高亮度可达3 390 cd/m2,最大电流效率为1.3 cd/A。采用同样的器件结构以Ir(C6)2(acac)掺杂Alq3主体得到绿色发光器件,发光色的CIE坐标值为x=0.29;y=0.58,最高亮度可达8 832 cd/m2,最大电流效率为5.6 cd/A。器件的发光机理研究表明Ir(C6)2(acac)的非掺杂器件发光以Ir(C6)2(acac)的三线态磷光为主,器件发光为橙色;在Alq3中的单掺杂器件以Alq3和Ir(C6)2(acac)的荧光为主,同时有小比例Ir(C6)2(acac)的三线态磷光成分存在,器件总体发光为绿色。

被动驱动有机发光二极管矩阵屏老化性能的研究

对102×64点阵的单色被动驱动的有机电致发光(OLED)矩阵屏进行了老化研究。矩阵屏的结构为ITO/CuPc/NPB/Alq3∶C545/LiF/Al。测量了老化前后矩阵屏的电流-电压-亮度曲线,以及电致发光(EL)和光致发光光谱(PL)。比较发现,老化后的器件在同样恒电流的情况下表现出更高的驱动电压,更小的漏电流,以及在阴极和有机层界面上电致发光和光致发光的光谱强度减弱。矩阵屏在老化17 h后,电致发光和光致发光的强度分别降低到初始值的75.6%和81.4%,分析认为,这是因为老化过程中部分发光材料分解,从而造成对矩阵屏的永久损伤。

55纳米CMOS图像传感器栅极多晶硅工艺研究

随着市场对于摄像设备的更多和更高性能的需求,基于互补金属氧化物晶体管的图像传感器CIS(CMOS image sensor)由于其优异的性能正逐步取代原有的电荷耦合器件(CCD)。华力55CIS平台将55LP(55纳米低功耗)工艺的逻辑区和客户的像素区结合起来,通过引入ONO(氧化硅/氮化硅/氧化硅)的硬掩模工艺,实现对像素区对高能量注入的阻挡和优化的多晶硅形貌。在后续的工艺中,多晶硅的再氧化,逻辑区输入/输出(IO)器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序会引起对核心器件区域,输入/输出器件(IO33)区域和像素区的硅表面的损伤,需要找出优化的工艺方案来确保器件性能和可靠性。本文通过对多晶硅的再氧化,逻辑区IO器件轻掺杂漏注入和硬掩膜的去除顺序的研究,找出了优化的工艺顺序,并对器件性能,可靠性进行评估。

P-flash串扰机制和解决方案的研究

随着集成电路技术的快速发展,通过对作为将来低功耗和高速度读取的重要候选者的2T P-flash串扰结果的分析,从结构和功能方面出发找寻串扰产生的机制,进而在工艺和设计上提出相应的改善方法。通过在浅槽隔离下方注入合适的浓度,使以浅槽隔离区氧化硅为栅极氧化硅的选择晶体管可以承受更高的电压,从而改善编程单元造成的串扰。通过设计上的改进:(a)编程串扰:降低编程强度或是编程的时间,(b)擦除串扰:降低非选择区块的源端电压,(c)读操作串扰:降低读操作电压。通过改进的串扰措施,使P-flash的抗串扰能力增强,为2T P-flash作为低功耗,高速度的嵌入式闪存提供强有力的基础。

新型有机光电开关器件

结合有机发光和光电二极管器件,制作了一种新型的有机光电开关器件。器件结构为:ITO/NPB/Alq3/CuPc/C60/NPB/Alq3/LiF/Al。其中,ITO(indiumtinoxide,氧化铟锡)为正极,NPB[N,N-′di(naphthaleneyl)-N,N-′diphenylbenzidine]/Alq3[tris-(8-hydro-xyquinoline,8-羟基喹啉铝)aluminum]作为电致发光层,CuPc(CopperPhthalocyanine,酞菁铜)/C60为光电转换层,LiF/Al为器件负极,即两个电致发光层和一个光电转换层组成的三明治型结构。从低向高施加电压和从高向低施加电压时,该器件呈现出不同的电流密度-电压(J-V)和功率密度电压(P-V)曲线,即器件在相同的电压下可得到不同的电流密度值和功率密度值(亮度值),利用高亮度状态(ON)到低亮度状态(OFF)的转变,可实现开关型有机电致发光器件。器件的光电转换层吸收效率为0.153%。

用于存算一体的磁性随机存储器概述

磁性随机存储器是一种基于自旋电子学的新型信息存储器件,其主要结构单元是一个由磁性层和隧穿层组成的磁性隧道结,通过铁磁材料相对的磁化方向表现出高低两种阻值状态,以此实现信息的非易失存储。它具有极快的开关速度、近乎为零的泄露功耗、极高的可靠性等显著优点,是实现存算一体化技术的理想器件之一。本综述论述了磁性随机存储器在存算一体领域的研究进展,包括器件的基本结构和相应控制方法,着重对其在算术逻辑和神经网络的计算研究现状做了阐述。最后,对磁性随机存储器在存算一体中的应用做了相应总结和展望。