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采用a—Si：H膜钝化的硅器件
1
作者
陈晓餍
孙成迪
《永光半导体》
1991年第1期39-43,共5页
关键词
半导体器件
硅器件
a-Si:H膜
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职称材料
题名
采用a—Si：H膜钝化的硅器件
1
作者
陈晓餍
孙成迪
出处
《永光半导体》
1991年第1期39-43,共5页
关键词
半导体器件
硅器件
a-Si:H膜
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
采用a—Si：H膜钝化的硅器件
陈晓餍
孙成迪
《永光半导体》
1991
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