磷光体中三价铽离子的自敏化效应

三价铽离子激活的磷光体有兰色和绿色两个发射谱线系列。本文分析了这两个系列谱线的强度,随着激活剂浓度而变化的实验结果,发现在激活剂浓度达到一定数量之后,当继续增加激活剂含量时,兰色和绿色发射谱线相对强度的变化规律,和加入敏化剂的结果是一致的。可见对于铽的绿色谱线而言,铽离子本身也会起一种敏化作用。据此,我们提出了三价铽离子具有自敏化效应的观点,来解释上述的实验结果。这种观点是:在含有较高浓度铽离子的磷光体中,铽离子既是绿色辐射的发光中心,又是它的敏化中心。我们还认为,这种敏化作用是在两最近邻的铽离子之间进行能量传递的过程,按照这种模型,用能量传递的共振理论,计算了传递效率,临界距离以及基质离子直径大小对自敏化效应的影响。

BiSrCaCu_2 O_y超导体的研究

本文研究了BiSrCaCu_2Oy(1112)超导体不同的制备条件对80—90K低温相和100—110K高温相形成的影响。通过对样品的电学和磁学性质的测量、x光衍射和扫描电镜的分析,指出了适当的高温、长时间的保温和淬火有利于高温相的形成。

一种改进的劳仑茨一劳仑兹公式

我们已经推导出一个电介质方程，在方程中电介质的密度能够由介电常数算出。麦克斯威关系是联系非极性电介质的介电常数ε和折射系数ｎ的表达式。利用麦克斯威关系，我们把这个非极性电介质方程推广到光频区域并获得相应公式，这个公式是在电介质的密度和折射系数之间建立了联系。我们把它称为一种改进了的劳仑茨一劳仑兹方程，也就是本文中的方程（７）。方程（７）中有三个参量，它们能够通过和实验数据进行比较来确定。氢是最常见的电介质物质，它有完善的实验数据，其中包括密度和介常数。仲氢的方程（７）中的参量值通过和实验数据比较而求得，并把它们列在文中方程（９）中。方程（１０）是关于仲氢的改进了的劳仑茨一劳仑兹方程的形式。从方程（９）我们能够确定平均极化率和分子半径。氢的平均极化率为０．３９８×１０－２４ｃｍ３，分子半径为２．０４×１０－８ｃｍ。它们和实验值是同一数量级。这样，首次由折射率来求得分子半径。另一方面，仲氢的密度可以由公式（１０）来计算。在密度范围从０．００２ｇ／ｃｍ３到０．０９６ｇ／ｃｍ３区域内，计算结果是极好的。它和实验值的偏差小到只有１０－６数量级。然而，由著名的Ｂｏｅｔｔｃｈｅｒ公式和劳仑茨—劳仑兹方程计算的结果，和实验?

二维伊辛模型蒙特卡罗模拟

用蒙特卡罗方法研究二维（２０×２０）晶格系统伊辛模型。为了避免界面影响，采用了周期性边界条件。在不同温度下，研究了系统的状态。在高温下系统是高度无序的，当温度降低到临界温度时，系统呈现有序，并观察到临界涨落现象，在低温下出现相分离。由蒙特卡罗方法所确定的“临界温度”

多晶大块EuBa_2Cu_3O_(7-x)超导体临界电流对外磁场循环的不可逆性

我们在制备的EuBa_2Cu_3O_(7-x)多晶块样品上,用标准四引线法测量了其升场和降场时的I_c—H关系。发现临界电流对外磁场循环是不可逆的,这种不可逆性来自样品的颗粒性。我们还进一步观察到依所施加的最大外磁场H_(max)不同,不可逆性可分为两类,可用不同磁通俘获机制加以解释。

Raman Study of Defects in SI－GaAs and Se－doped Epitaxial Layer Irradiated by 10 MeV Electrons

Raman scattering measurements on Se-doped GaAs epitaxial layers and semi-insulating (SI) GaAs irradi-ated by 10 Mev electrons have been investigated. Several defect-related features were observed. We suggestthat the 220 cm ￣-1mode is attribute to As_1 which is associated, at least in part, with EL2 and EL12 defects.For Sedoped samples, the Raman peaks at 205 and 258 cm￣-1 may be due to vibrational modes in small clus-ters of arsenic, and the 77 and 185 ￣-1modes are probably associated with disorder-activated first order Ra-man scattering.Irradiated results show that the small clusters of arsenic and disorder state are increased with in-creasing irradiation fluences. Other Raman peaks will also be discussed in this paper.

Investigation of EL2 Defect in 10 MeV Electron Irradiated Undoped Semi－insulating LEC GaAs

The induces defects and especially the EL2 defect in 10 MeV electron irradiated undoped semi-insulating(SI) LEC GaAs samples were investigated by using optical transient current spectroscopy (OTCS)technique.The results indicate that the density of EL2 defect of irradiated GaAs decreases and the density of EL6 defect in-creases at lower fluence levels. At higher fluences, we observe an increase in density of the EL2 level, howev-er,the density of the EL6 is decreased. It is suggested that on lower fluences, 10 MeV electron irradiation causes the dissociation of the EL2 defect, and may be used to decrease the main donor level EL2 in SI-GaAs.

低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应

本文研究低通量慢中子对Bi系超导体的辐照效应。实验结果表明:(1)Bi系超导体在适量慢中子辐照后,临界电流密度Jc和零电阻温度Tco都有不同程度提高;(2)低通量慢中子和高通量快中子对Bi系超导体具有相似的辐照效应。

低通量慢中子辐照对高T_c超导体临界温度的影响及其机理探讨

本文研究了低通量(～10~8n/cm^2)慢中子对Bi系、Y系及其掺杂高T_c超导体临界温度T_c的影响。实验结果表明,在适量慢中子辐照后,可以明显地提高临界温度并减小超导转变宽度△T(10%—90%)。此外,本文还探讨了在适量慢中子辐照后,高T_c超导体临界温度增加和转变宽度减小的物理机理。