基于IGZO的阻变存储器的研究

阻变存储器(RRAM)是新一代存储技术的理想代表之一,利用旋涂法和喷墨打印法制备了Ag/IGZO/ITO结构的RRAM,首先在ITO玻璃上旋涂IGZO薄膜,再在IGZO薄膜上打印Ag,制备MIM结构的器件,并使用半导体参数分析仪(KEITHLEY-4200A-SCS)测试其电学性能,测试结果显示其具有双极组变特性。