多层GaAlInP半导体发光材料的双晶衍射分析与拟合

应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析。应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果。对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量。涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测。并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量。

一个实用的生产用Ⅲ-V族化合物半导体材料Turbo-DiscMOCVD生长模型(英文)

在MOCVD质量控制生长模式下 ,通过分析Ⅲ -V族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程 ,建立了一个实用的生长模型。此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的。针对Turbo -Disc反应体系 ,分析了Turbo -Disc的传热以及质量传送模式后 ,建立了Turbo -Disc的生长模型。在此模型中建立了输入反应室的参数 (IPs)和边界层的生长参数的关系。在对组分匹配的GaInP/GaAs三组分生长体系进行分析时 ,发现此模型是非常有效的 ,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合。应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层。

应用原子层外延技术分析Turbo-Disk MOCVD外延生长模式

应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo DiskMOCVD外延生长过程 ,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处 ,当通过控制生长参数达到优质外延时 ,实际上是一种亚原子外延过程 。