宽周期掩膜法HVPE侧向外延自支撑GaN的研究

GaN膜在传统生长过程中主要通过异质外延获得,这往往会产生晶格失配和热失配,给GaN带来严重的位错和应力。目前降低位错最广泛的方法是使用侧向外延技术。在这项工作中,首先在蓝宝石基GaN衬底上沉积了一层SiO_(2),并用光刻的方法将其制备成高掩膜宽度(窗口宽度20μm/掩膜宽度280μm)的宽周期掩膜,再通过氢化物气相外延(HVPE)侧向外延了厚度为325μm的GaN厚膜,通过胶带可以将其进行剥离形成自支撑衬底。同时通过二维的Wulff结构图研究了GaN生长过程中晶面的变化趋势。宽周期掩膜法对于生长可剥离的低位错密度自支撑GaN有着重大意义。

用于掺铒光纤放大器的高功率单模980nm半导体激光芯片与模块

报道了应用于掺铒光纤放大器(EDFA)的高功率单模980nm半导体激光芯片和泵浦模块。所研制的单基横模980nm激光芯片的kink-free输出功率可达1650mW,最高热反转功率可达2.4W。利用此芯片研制了14pin蝶形封装模块,采用光纤光栅进行波长锁定,实现了单模输出功率超过1300mW以及从阈值到1300mW的大动态范围的波长锁定,边模抑制比(SMSR)大于30dB,峰值波长为974.5nm±0.5nm,光谱半峰全宽(FWHM)小于0.5nm,带内功率占比(PIB)大于95%。