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低温常压烧成工艺制备Al_2O_3-SiC复相材料
1
作者
何平伟
慕玮
+3 位作者
李晓云
丘泰
杨建
陈瑾梅
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期9-11,共3页
将6H-SiC和a-A1203以质量比7:3混合,添加质量分数0-10%的MgO-CaO作为烧结助剂,球磨后的粉体压制成生坯,在1200℃预氧化1h后在氢气氛下常压烧结1h制备A1203.SiC复相材料。研究了烧成温度和MgO-CaO含量对该复相材料烧结性能和相组...
将6H-SiC和a-A1203以质量比7:3混合,添加质量分数0-10%的MgO-CaO作为烧结助剂,球磨后的粉体压制成生坯,在1200℃预氧化1h后在氢气氛下常压烧结1h制备A1203.SiC复相材料。研究了烧成温度和MgO-CaO含量对该复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:1500℃下,随着烧结助剂含量的增加,烧结致密性明显提高,当烧结助剂质量分数为10%时,显气孔率降至0.1%。预氧化时,添加烧结助剂MgO.CaO,方石英和甜A1203与之反应,生成CaAl2Si2O8和Mg2Al4Si5O18,促进6H-SiC的进一步氧化。烧成过程中,CaAl2Si2O8和MgAl2O4溶解生成玻璃相促进烧结,同时a-Al2O3从玻璃相中析出,1500℃烧结试样所含物相为6H-SiC和a-Al2O3。
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关键词
SIC
AL2O3
常压烧结
复相材料
显气孔率
烧结助剂
原文传递
题名
低温常压烧成工艺制备Al_2O_3-SiC复相材料
1
作者
何平伟
慕玮
李晓云
丘泰
杨建
陈瑾梅
机构
南京工业大学材料科学与工程学院
南京三乐电子信息产业集团有限公司
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第9期9-11,共3页
基金
长江学者和创新团队发展计划资助项目(No.PCSIRT
No.IRT1146)
文摘
将6H-SiC和a-A1203以质量比7:3混合,添加质量分数0-10%的MgO-CaO作为烧结助剂,球磨后的粉体压制成生坯,在1200℃预氧化1h后在氢气氛下常压烧结1h制备A1203.SiC复相材料。研究了烧成温度和MgO-CaO含量对该复相材料烧结性能和相组成的影响。结果表明:1500℃下,随着烧结助剂含量的增加,烧结致密性明显提高,当烧结助剂质量分数为10%时,显气孔率降至0.1%。预氧化时,添加烧结助剂MgO.CaO,方石英和甜A1203与之反应,生成CaAl2Si2O8和Mg2Al4Si5O18,促进6H-SiC的进一步氧化。烧成过程中,CaAl2Si2O8和MgAl2O4溶解生成玻璃相促进烧结,同时a-Al2O3从玻璃相中析出,1500℃烧结试样所含物相为6H-SiC和a-Al2O3。
关键词
SIC
AL2O3
常压烧结
复相材料
显气孔率
烧结助剂
Keywords
SiC
Al2O3
pressureless sintering
composite
apparent porosity
sintering additive
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低温常压烧成工艺制备Al_2O_3-SiC复相材料
何平伟
慕玮
李晓云
丘泰
杨建
陈瑾梅
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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