GaAs和AlGaAsMBE外延生长动力学研究

研究了在GaAs(001)衬底上外延生长GaAs、AlGaAs材料过程中反射高能电子衍射(RHEED)的各级条纹及其强度随生长过程的变化.通过对各级条纹强度振荡周期和位相的分析,应用二维成核层状生长模型解释了实验结果:生长表面形貌的周期性变化导致了RHEED各级条纹及其强度的周期性变化.

GaAs/SrTiO_3 MBE外延单晶薄膜晶格振动的研究

利用远红外反射光谱和拉曼散射光谱法测量了 Ga As/ Sr Ti O3外延单晶薄膜样品 ,研究了这种新型异质结构的晶格振动光学特性 .实验结果表明 :在钙钛矿型结构的 Sr Ti O3衬底上外延生长的 Ga As薄膜具有单晶结构 ,有与 Ga

GaAs中Be受主的光热电离光谱研究

应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受主 1s3/ 2 (Γ+ 8)态到 2 p1 / 2 (Γ- 6 )态跃迁 ,由实验结果算得 Be受主的电离能为 2 8.6 me V.

低压配电系统中的选择性保护

一、概述 在低压配电系统中,由于网络中某处电路故障而影响整个或1片网络的供电是不允许的,因此在选用上、下级断路器时要充分考虑它们之间的匹配,大多采用串级断路器之间的选择性保护,以保持网络非故障部分的供电连续性.

GaAs/SrTiO_3外延半导体单晶薄膜带间跃迁研究

报道了在钙钛矿型结构的 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上用分子束外延方法生长闪锌矿型结构的 Ｇａ Ａｓ半导体单晶薄膜．应用光调制反射光谱和光荧光方法 ，研究了 Ｇａ Ａｓ 半导体薄膜的带间跃迁，并与通常的 Ｇａ Ａｓ 体材料特性进行了对比研究．结果表明，在钙钛矿型结构 Ｓｒ Ｔｉ Ｏ３ 衬底上生长的 Ｇａ Ａｓ 单晶薄膜具有与单晶体材料相似的禁带与光学特性，在带间跃迁的弛豫上，外延薄膜相对体材料大了约５ 倍．