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次级串联谐振感应加热电源的研究 被引量:1
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作者 陈睿科 刘平 +1 位作者 徐瀚 臧甲杰 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 2014年第12期51-53,共3页
在此通过分析传统的串联谐振技术与脉冲密度调制(PDM)调功方式,提出了基于新型PDM调功方式的次级串联谐振技术。将该技术应用于有色金属感应加热电源,能够解决电源储能器件需高耐压问题及变压器体积过大问题,同时解决了传统PDM调功方式... 在此通过分析传统的串联谐振技术与脉冲密度调制(PDM)调功方式,提出了基于新型PDM调功方式的次级串联谐振技术。将该技术应用于有色金属感应加热电源,能够解决电源储能器件需高耐压问题及变压器体积过大问题,同时解决了传统PDM调功方式与次级谐振技术结合时带来的变压器易饱和问题。实验现象表明,次级谐振技术能够实现降低储能器件电压及减小变压器体积的目的。 展开更多
关键词 电源 感应加热 次级谐振
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电镀电源双环控制系统设计
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作者 刘平 徐瀚 +1 位作者 臧甲杰 陈睿科 《郑州大学学报(工学版)》 CAS 北大核心 2016年第4期86-90,共5页
电镀电源具有低压、大电流工作特性,传统的电压控制模式因动态响应慢和不能动态限流等缺陷而难以满足控制要求.经比较分析,提出了使用电压外环、电流内环的双环控制器控制方案.对电镀电源系统进行建模分析,按照先电流内环后电压外环的... 电镀电源具有低压、大电流工作特性,传统的电压控制模式因动态响应慢和不能动态限流等缺陷而难以满足控制要求.经比较分析,提出了使用电压外环、电流内环的双环控制器控制方案.对电镀电源系统进行建模分析,按照先电流内环后电压外环的顺序设计双环控制器.对系统模型使用伯德图进行环路稳定性分析,设计环路参数,并根据双环系统工作时电路出现的条件稳定现象对电流环路参数进行修正,并对设计的环路进行了试验.试验结果表明,双环控制系统正常工作,具有实用价值. 展开更多
关键词 电镀电源 双环控制 环路稳定性
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基于CD4046感应加热电源的研究设计 被引量:5
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作者 袁倩 刘平 陈睿科 《电子设计工程》 2016年第2期101-104,共4页
为了解决传统感应加热电源开关损耗较高及功率因数较低的不良效果,本文设计出了一种以集成高速锁相环CD4046为核心的控制电路,该控制电路可以对逆变器进行实时频率跟踪,根据反馈信号做出合理的相位补偿,确保逆变器工作于弱感性状态,并... 为了解决传统感应加热电源开关损耗较高及功率因数较低的不良效果,本文设计出了一种以集成高速锁相环CD4046为核心的控制电路,该控制电路可以对逆变器进行实时频率跟踪,根据反馈信号做出合理的相位补偿,确保逆变器工作于弱感性状态,并在获得较高输入功率因数的同时实现开关零电压功能,实验结果表明该控制电路结构简单,工作性能稳定,在工业应用方面存在潜在价值。 展开更多
关键词 CD4046 频率跟踪 相位补偿 驱动信号 电流
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基于PDM的高频感应加热电源的设计与实现 被引量:1
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作者 臧甲杰 刘平 +1 位作者 徐瀚 陈睿科 《郑州大学学报(工学版)》 CAS 北大核心 2015年第4期119-123,共5页
介绍一种以MOSFET为开关器件的高频感应加热电源.设计制作出100 k Hz/5 k W的小功率高频感应加热电源样机,该电源采用脉冲密度调制(PDM)调功控制方式,谐振电路采用串联谐振方式,能够有效克服加热过程中负载参数变化带来的影响,使功率开... 介绍一种以MOSFET为开关器件的高频感应加热电源.设计制作出100 k Hz/5 k W的小功率高频感应加热电源样机,该电源采用脉冲密度调制(PDM)调功控制方式,谐振电路采用串联谐振方式,能够有效克服加热过程中负载参数变化带来的影响,使功率开关管始终工作在零电压开通状态.对该电源的逆变电路、控制电路等方面做了研究和试验.试验结果表明:采用的PDM控制模式和串联谐振电路,能够满足小功率高频感应加热电源的工作要求. 展开更多
关键词 感应加热 功率MOSFET 高频电源 PDM
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应用于5 V电压电路的新型闩锁免疫LVTSCR
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作者 王松岩 范晓梅 +4 位作者 朱治华 张英韬 王耀 刘俊杰 陈睿科 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第1期120-124,共5页
传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险。文章提出了一种嵌入分流路径的LVTSCR。基于0.18μm CMOS工艺,使用Sentaurus-TCAD软件模拟人体模型,对器件准静态特性进行了分析。结果表明,新型器件在保持... 传统低压触发可控硅(LVTSCR)维持电压过低,应用于片上ESD防护时存在闩锁风险。文章提出了一种嵌入分流路径的LVTSCR。基于0.18μm CMOS工艺,使用Sentaurus-TCAD软件模拟人体模型,对器件准静态特性进行了分析。结果表明,新型器件在保持触发电压、ESD防护性良好的情况下,有效提高了维持电压。对关键尺寸D6进行优化,该器件的维持电压提高到5.5 V以上,器件可安全应用于5 V电压电路,避免了闩锁效应。 展开更多
关键词 静电放电 可控硅 维持电压 闩锁 分流
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一种低触发电压的两级防护SCR器件
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作者 张英韬 朱治华 +7 位作者 范晓梅 毛盼 宋彬 许杞安 吴铁将 陈睿科 王耀 刘俊杰 《微电子学》 CAS 北大核心 2022年第1期104-108,共5页
提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明,... 提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR)。在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管。因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径。Sentaurus TCAD仿真结果表明,该器件的触发电压从传统器件的10.59 V降低至4.12 V,维持电压为1.25 V,1 V直流电压下漏电流仅为7.85 nA。优化后的TSPSCR适用于先进1 V工作电压的电路中。 展开更多
关键词 ESD SCR 两级防护 触发电压 漏电流
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