基于GaN的Ku波段四通道T/R组件设计

本文介绍了一种基于GaN功放芯片的Ku波段四通道T/R组件。该组件具有高效率、高集成、小体积、重量轻、模块化等特点。文章从T/R组件射频链路框架、收发通道指标推算、射频转接仿真方面进行阐述。最终测试结果显示,该组件在2GHz工作带宽内性能优良,发射功率大于40dBm,效率高于28%;接收增益大于29.5dB,噪声系数小于3.6。

频综的孔缝泄漏及屏蔽

从结构设计角度 ,结合电磁屏蔽理论 ,分析出高频时孔缝泄漏是影响屏蔽体屏效的主要原因 ,继而给出屏蔽体的孔缝设计原则、实际抑制措施。

电子设备插件的定位与调整

对电子设备插件至机柜的定位装置作了分析,列举出不同定位装置的应用事例,详细介绍插件定位调整的方法,并对其应用前景作了展望。

X频段取样锁相频率合成器——PDRO

对取样锁相频率合成器的工作原理、技术特点等进行了描述,着重分析了其低相噪、低杂散特性,讨论了环路滤波器与环路扩捕的设计对环路稳定性的贡献,最后给出了X频段取样锁相频率合成器的电技指标。

开关电源高频变换电路结构分析

介绍了开关电源的特点,分析了5种结构的高频变换电路的工作原理,并对其优劣进行了对比分析,为变换电路的选取提供了依据。

Ku波段300W固态发射机的研制

介绍一种新成功研制的Ku波段固态发射机,该发射机采用波导合成技术,对4个80w末级功率模块进行功率合成,获得300W以上的峰值功率,发射机最大脉冲宽度为120μs,最大占空比为30%,合成效率大于93.7%。

Ku频段2kW氮化镓固态发射机设计

文中介绍了一种基于国产GaN芯片研制的Ku波段2kW固态发射机的设计方法。以500W发射组件为基本组成单元,采用四路平面波导魔T的功率合成方式,同时对合成网络的功率容量、以及基本合成单元相位一致性对合成效率的影响进行了分析,最终实现了2kW固态发射机的研制。实测结果表明,在Ku频段峰值输出功率大于2kW,效率大于22%,满足预期设计要求。

基于GaN的Ku波段千瓦级峰值功率固态发射机的研制

文章介绍了一种基于GaN的Ku波段千瓦级峰值功率的固态发射机的研制。在设计中,采用多种合成方式,其中MMIC芯片级合成采用基于E-T、H面3dB波导耦合桥和波导微带转换的混合式功分/合成网络,模块级合成选择波导合成方式。发射机以GaN的MMIC功率芯片为核心,采用32路合成,实现大于1000W的峰值输出功率,发射机效率大于25%,并成功应用某项目替代电真空发射机,实现了产品的升级换代。

某相控阵雷达T/R组件热仿真与热测试

本文以有源相控阵天线为主要研究对象,对其散热需求进行仿真分析,以14个T/R组件组成结构体作为满阵天线散热的最小散热单元,分别验证铸铝ADC12和锻铝6063两种材料的T/R单元在风道内的散热情况。通过仿真分析和试验验证证明,该雷达总体热设计方案完全能满足实际工作要求。该种散热方法对类似设备的整体热设计有一定的参考价值。

一种X波段固态功率放大器

介绍一种 Ｘ波段固态功率放大器的设计方案，并给出研制结果。

一种Ku波段固态发射机的设计

介绍一种Ku波段固态发射机的设计,本发射机是脉冲工作,采用了功率合成,输出脉冲功率45w,工作比为20%。

一种S波段固态发射机的设计

介绍一种S波段固态发射机的设计,本发射机是脉冲工作,空间合成式,输出脉冲功率8Kw,工作比为10%。