采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触。研究了退火温度、退火时间对ITO薄膜性能以及LED芯片性能的影...采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触。研究了退火温度、退火时间对ITO薄膜性能以及LED芯片性能的影响。结果显示:固定退火时间8s时,ITO薄膜方块电阻呈减小趋势,但变化不大,430℃时为7.7Ω/□;LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,430℃时达峰值136mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,440℃时达谷值1.13Ω。固定退火温度415℃时,LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,退火12s时达峰值132.5mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,退火12s时时达谷值0.93Ω。展开更多
文摘采用电子束蒸发工艺在GaAs基LED外延层上制备了氧化铟锡(ITO:Indium Tin Oxide)薄膜,采用快速热退火(RTA:Rapid Thermo Annealing)工艺制备ITO薄膜与GaAs外延层的欧姆接触。研究了退火温度、退火时间对ITO薄膜性能以及LED芯片性能的影响。结果显示:固定退火时间8s时,ITO薄膜方块电阻呈减小趋势,但变化不大,430℃时为7.7Ω/□;LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,430℃时达峰值136mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,440℃时达谷值1.13Ω。固定退火温度415℃时,LED芯片亮度LOP呈现非线性先上升后下降趋势,退火12s时达峰值132.5mcd;外延片背面欧姆电阻呈现先下降后上升抛物线趋势,退火12s时时达谷值0.93Ω。
