含一液晶缺陷层的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性研究

当电场强度大于阈值时,液晶可以看成是单轴介质,其折射率可以通过电场方向来调控。在光子晶体中引入缺陷层液晶,利用传输矩阵法研究了含有一层填充不同液晶(分别为E7、5CB或BL-009)缺陷的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性。结果表明:对应于E7、5CB或BL-009不同液晶缺陷,缺陷模波长可调量分别为43nm、34.5nm和37.1nm,电场对E7这种液晶相对于其他两种液晶可调量更大。随着垂直入射光与电场方向间夹角θ在(00,900)内增大,缺陷模波长向着短波方向漂移。这是由于有效折射率的变化及变化范围所引起的。

波长为850nm的电场调控含液晶一维光子晶体滤波器的设计

利用传输矩阵法研究了含液晶一维光子晶体的缺陷模.数值计算了ZnO层厚度或液晶层厚度为固定值,垂直入射光与电场方向间夹角θ为0°、30°、60°和90°时,含液晶一维光子晶体缺陷模的波长随液晶层厚度(或ZnO层厚度)的变化关系.结果表明:当ZnO层厚度为90.8 nm定值时,波长为850 nm光通信窗口对应的液晶层厚度范围为139 nm-158 nm;当液晶层厚度为141.7 nm定值时,波长为850 nm光通信窗口对应的ZnO层厚度范围为88.7 nm-102.3 nm.要得到缺陷模波长为850 nm,垂直入射光与电场方向间夹角θ越小,液晶或ZnO层厚度就越小.

高中物理学困生的成因及对策分析

当前全国高中生对物理知识普遍认为比较难,高中物理的难度使得学生的学习兴趣大大降低,阻碍了高效物理教学课堂的建设,同时也妨碍了学生的全面发展.随着新课程改革在物理教学领域的发展和普及,对高中物理学习困难学生的成因及对策也有了一定的研究,然而研究的成果并不明显.

中学物理学困生成因转化策略的研究

中学物理是学习的初步阶段，但是因为多种原因，还是存在学困生的现象．而且这部分学困生对物理表现出“抵制”的心态，更是不愿意学习．出现学困生是教学中很正常的现象，特别是对于物理这样逻辑性和抽象性比较强的学科，更会因为理解跟不上，或者思考速度慢等原因导致落后，而后形成“恶性循环”，导致学习状况不理想．学困生是物理教学中的“病症”，只有找准病因，“对症下药”，才能真正解决每个学困生的难题．本文笔者以自己的物理教学经验，并做调查分析，得出中学物理学困生的几点成因，以及转化策略．