聚酰亚胺电容式湿敏元件的研制

在硅基片上，采用集成电路工艺制作成有上下电极结构的以聚酰亚胺介质薄膜作为感湿膜的电容式湿度敏感元件，上电极有六种不同设计．对所研制的敏感元件进行感湿特性、温度特性、响应特性的测量，并分析讨论了测量结果．

SnO_2/PS/Si吸附气体前后的光伏谱变化

制备了二氧化锡／ 多孔硅／ 硅（ＳｎＯ２／ＰＳ／Ｓｉ） 异质结构样品，在不同温度下，分别测量样品吸附氢气、液化石油气前后的光生电压谱。结合Ｘ 光电子能谱（ＸＰＳ） 测量结果。

硅温敏二极管研制

由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表明，Ｖｆ－Ｔ特性曲线线性优良，在恒定电流为５０μＡ下，灵敏度最高的可达２．７０ｍＶ／℃．根据测试结果，对提高灵敏度等特性进行一些讨论．

一种新型温湿敏集成传感器研制

研制成由硅温敏二极管和聚酸亚胺湿敏电容集成的温湿度传感器。介绍了它的工作原理、结构设计、制作工艺、测试结果以及为提高它的性能所作的一些研究。

半导体材料特性和参数研究

提出超晶格 (Al As/ Ga As)和应变超晶格 (Gex Si1-x/ Si,Inx Ga1-x As/ Ga As)光伏效应的机理 ,测量了不同温度下的光伏谱 ,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰 .计算了导带和价带子带的位置和带宽 ,根据宇称守恒确定光跃迁选择定则 ,对跃迁峰进行指认 .研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化 ,讨论谱峰展宽机制中的声子关联 ,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响 .测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱 ,推导了有关计算公式 ,计算得出电学参数 (L、n0 、μ、S、W)、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分 ;分析了电学参数的温度关系 ;由双能级复合理论 ,研究了少子扩散长度与深能级关系 ,计算了深能级浓度和参数 .在不同条件下研制了二氧化锡 /多孔硅 /硅 (Sn O2 / PS/ Si)和二氧化锡 /硅 (Sn O2 / Si) ,测量了它们的光伏谱 ,分析表明它们存在着异质结 .当样品吸附还原性气体 (H2 、CO、液化石油气 )时 ,光电压有明显变化 ,因此可做为一种新的敏感元件 .分析了它们的吸附机理 。

N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ低温光伏的异常特性．在暗条件下降温的样品，其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃．这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化．

半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究

通过对 p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算 ,分析了同一样品处于不同氛围中 ,以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律 ,探讨了出现这一规律的内在机理 ,解释了各有关的物理现象 .