高饱和磁通密度NiZn铁氧体材料TN35B

采用传统氧化物法制备了主配方为Ni0.402Cu0.118ZnO0．480Fe2O4的NiZn铁氧体材料TN35B，并对其微观结构和电性能进行了分析。结果表明，相对于NiZn常规材料，TN35B材料通过配方改进饱和磁通密度从410mT提升到T465mT，居里温度从250℃提升到了270℃，其他磁性能保持了相同的水平。TN35B材料饱和磁通密度的大幅提升，从而其制成的DRC型磁心的直流偏置特性也有显著提升，能够较好的满足高性能功率电感的要求。

不同FeO3原料及烧结温度对NiZn铁氧体材料性能的影响

采用传统氧化物法制备了主配方为（NiO）0.40，（CuO）0.12（ZnO）0.48（Fe2O3）的NiZn铁氧体材料，研究了不同Fe2O3原料及烧结温度对材料电磁性能的影响。研究表明，含杂量较多的Fe2O3原料与含杂量较少原料制备的样品相比，两者在较高的烧结温度下磁性能相当；在较低的烧结温度下含杂量较多的Fe2O3原料制品表现出较好的磁导率水平，但饱和磁通密度略差。总体上看，使用含杂量较多的Fe2O3原料代替含杂量较少Fe2O3原料仍有一定的局限性。