期刊导航
期刊开放获取
河南省图书馆
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
PIN快恢复二极管掺铂工艺改进
1
作者
郑志霞
陈轮兴
张丹
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期539-543,共5页
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度...
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度的铂扩散源,研究铂扩散温度T、扩散时间t、表面扩散源浓度对反向恢复时间T_(rr)和正向压降U F的变化,并分析正向压降U F与反向恢复时间T_(rr)的关系.结果表明,以300 r/min速率旋涂氯铂酸异丙醇溶液,能得到表面质量浓度为21.9%的铂扩散源,满足快恢复二极管掺铂工艺要求,相比于蒸发镀膜可节省约70%的铂;以920℃炉温铂扩散60 min,测得二极管的T_(rr)≤50 ns,U_(F)≤1.25 V,获得T_(rr)、U_(F)之间良好的折衷.
展开更多
关键词
快恢复二极管
少数载流子
反向恢复时间
正向压降
下载PDF
职称材料
适用于共晶焊的肖特基二极管背面金属化工艺优化
2
作者
郑志霞
陈轮兴
郑鹏
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
2024年第4期603-608,共6页
[目的]为了降低成本,减少污染,提高工艺效率,对肖特基二极管背面金属化工艺进行研究,探索锡锑合金替代金系合金的最佳不持温镀膜金属化工艺.[方法]通过持温镀膜与不持温镀膜对比实验,分析电子束蒸发镀膜基片温度对阴极金属层间黏附性和...
[目的]为了降低成本,减少污染,提高工艺效率,对肖特基二极管背面金属化工艺进行研究,探索锡锑合金替代金系合金的最佳不持温镀膜金属化工艺.[方法]通过持温镀膜与不持温镀膜对比实验,分析电子束蒸发镀膜基片温度对阴极金属层间黏附性和导电性,以及薄膜厚度对空洞率的影响,得到适用于批量共晶焊的肖特基二极管背面金属化最优工艺参数.[结果]当基片温度为180℃时,不持温镀膜的剪切力为64.53 N,高于持温镀膜的剪切力;当金属化锡锑合金膜厚为3μm时,共晶焊的空洞率低于5%,符合共晶焊要求;电子束蒸发镀膜背面金属层方块电阻随基片温度升高先减小后增大,温度在180~240℃之间,方块电阻随基片温度的变化不大.[结论]用于共晶焊的肖特基二极管背面金属化的最优工艺为基底温度升到180℃后在自然降温的同时进行多层金属镀膜,锡锑合金镀膜厚度为3μm.
展开更多
关键词
肖特基二极管
金属化工艺
电子束蒸发镀膜
方块电阻
空洞率
剪切力
下载PDF
职称材料
题名
PIN快恢复二极管掺铂工艺改进
1
作者
郑志霞
陈轮兴
张丹
机构
莆田学院机电与信息工程学院
福建安特微电子有限公司
厦门大学航空航天学院
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2023年第4期539-543,共5页
基金
福建省科技厅区域发展基金资助项目(2022H4007)
福建省科技厅引导性基金资助项目(2022H0051)。
文摘
研究掺铂工艺对有效控制少数载流子寿命、缩短PIN快恢复二极管反向恢复时间、节约贵金属用量、提升器件综合性能具有重要意义.为了得到最优掺铂工艺,以电子束蒸发镀膜为参考基准,对比以液态铂源旋涂工艺在硅外延片N+面制备不同表面浓度的铂扩散源,研究铂扩散温度T、扩散时间t、表面扩散源浓度对反向恢复时间T_(rr)和正向压降U F的变化,并分析正向压降U F与反向恢复时间T_(rr)的关系.结果表明,以300 r/min速率旋涂氯铂酸异丙醇溶液,能得到表面质量浓度为21.9%的铂扩散源,满足快恢复二极管掺铂工艺要求,相比于蒸发镀膜可节省约70%的铂;以920℃炉温铂扩散60 min,测得二极管的T_(rr)≤50 ns,U_(F)≤1.25 V,获得T_(rr)、U_(F)之间良好的折衷.
关键词
快恢复二极管
少数载流子
反向恢复时间
正向压降
Keywords
fast recovery diode
minority carrier
reverse recovery time
positive pressure drop
分类号
TP [自动化与计算机技术]
下载PDF
职称材料
题名
适用于共晶焊的肖特基二极管背面金属化工艺优化
2
作者
郑志霞
陈轮兴
郑鹏
机构
莆田学院机电与信息工程学院
出处
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
2024年第4期603-608,共6页
基金
福建省科技厅引导性基金资助项目(2022H0051)
福建省科技厅区域发展基金资助项目(2022H4007)。
文摘
[目的]为了降低成本,减少污染,提高工艺效率,对肖特基二极管背面金属化工艺进行研究,探索锡锑合金替代金系合金的最佳不持温镀膜金属化工艺.[方法]通过持温镀膜与不持温镀膜对比实验,分析电子束蒸发镀膜基片温度对阴极金属层间黏附性和导电性,以及薄膜厚度对空洞率的影响,得到适用于批量共晶焊的肖特基二极管背面金属化最优工艺参数.[结果]当基片温度为180℃时,不持温镀膜的剪切力为64.53 N,高于持温镀膜的剪切力;当金属化锡锑合金膜厚为3μm时,共晶焊的空洞率低于5%,符合共晶焊要求;电子束蒸发镀膜背面金属层方块电阻随基片温度升高先减小后增大,温度在180~240℃之间,方块电阻随基片温度的变化不大.[结论]用于共晶焊的肖特基二极管背面金属化的最优工艺为基底温度升到180℃后在自然降温的同时进行多层金属镀膜,锡锑合金镀膜厚度为3μm.
关键词
肖特基二极管
金属化工艺
电子束蒸发镀膜
方块电阻
空洞率
剪切力
Keywords
Schottky diode
metallization process
electron beam evaporation coating
sheet resistance
void rate
shear force
分类号
TP211 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PIN快恢复二极管掺铂工艺改进
郑志霞
陈轮兴
张丹
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
CSCD
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
2
适用于共晶焊的肖特基二极管背面金属化工艺优化
郑志霞
陈轮兴
郑鹏
《厦门大学学报(自然科学版)》
CAS
2024
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部