FBAR用氮化铝压电薄膜研究

介绍了FBAR用复合氮化铝(AlN)压电薄膜的制作方法。采用双S枪中频(40kHz)磁控反应性溅射铝靶制作出了AlN压电薄膜。采用双S枪直流(DC)磁控溅射钼(Mo)靶制作出了Mo电极薄膜。对AlN压电薄膜、Mo电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面择优取向优良。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了膜厚测试,结果表明,其膜厚均匀性优于±0.5%。对?4″Si基AlN压电薄膜、Mo薄膜进行了应力测试,结果表明,其应力分别在-100^+100 MPa及-150^+220 MPa;对?4″Si基Mo/AlN/Mo/AlN复合压电薄膜应力进行了应力测试,结果表明,其应力低达-71.518 5 MPa。对?4″Si基AlN压电薄膜进行了化学成分分析,结果表明,其Al∶N原子比为51.8∶48.2。

多层结构氧化锌薄膜制备

介绍了高频声体波微波延迟线用多层结构氧化锌薄膜的制作方法，并对这种交替排列不同结晶取向的多层氧化锌薄膜的微观结构、成膜机理进行了分析和阐述。用具有不同机电耦合系数、厚度为半波长的交替排列多层氧化锌薄膜制成了中心频率为８ＧＨｚ的声体波微波延迟线。

前臂桡动脉皮支血管网逆行筋膜皮瓣修复手部创面的解剖与临床研究

目的解剖研究提供形态学的基础。依据解剖特点，设计前臂桡动脉皮支血管网逆行筋膜皮瓣解决手部大创面的修复。方法采用成人上肢标本解剖观测桡动脉下段发出的皮动脉及皮动脉的交通与吻合。利用前臂远端桡动脉皮支血管网供血，设计前臂逆行筋膜皮瓣修复手部创面。结果解剖观测挠动脉下段桡侧发出有2～3条，尺侧发出有0～2条皮动脉。这些皮动脉与腕部动脉网的皮支间有广泛的交通与吻合。临床应用皮瓣蒂部转折点在茎突近端3～5cm处，皮瓣远端至肘横纹上方3～5cm，可修复手部巨大创面。完成手术42例，全部成功。结论桡动脉下段的皮动脉及腕部动脉网的皮支多且恒定，通过前臂逆行筋膜皮瓣蒂部提供充足血供，设计大面积前臂逆行筋膜皮瓣修复手部巨大创面。该皮瓣不损伤桡动脉主干，为手部皮肤缺损找到简单，安全，损伤小的修复方法。

Ta_2O_5薄膜的制备及其应用

本文阐述了Ta_2O_5薄膜的各种制备工艺、生长机理及其应用,用超薄Ta_2O_5膜制作的电容器电容量大、可靠性高,这种电容器用于双极式高速存储元件时,可使该元件面积减小到普通元件的1/3,它工作时最长存取时间<5ns。用溅射沉积的Ta_2O_5膜作光波导时,其光传输损耗<1dB/cm。采用S枪结构的磁控溅射技术制备的Ta_2O_5膜光反射率很小,透射率很大且光吸收系数低。它是一种优良的太阳能电池用抗反射(AR)涂层材料。X-轴取向Ta_2O_5膜是一种新型压电材料,用它制作的SAW器件温度稳定性好。另外,Ta_2O_5膜已用于制作湿敏、离子敏元件。

复合氮化铝压电薄膜研制及其应用

采用中频(MF,40 kHz)双S枪磁控反应溅射制备出了氮化铝(AlN)压电薄膜;采用直流磁控溅射法制作了Mo电极薄膜;采用脉冲DC磁控溅射Au、Cr、Al靶分别制作Au/Cr底电极薄膜及Al/Cr顶电极薄膜。通过对AlN压电薄膜、Mo及Au电极薄膜进行了X线衍射(XRD)分析,结果表明,复合AlN压电薄膜(002)面、Mo薄膜(110)面及Au薄膜(111)面择优取向优良,说明选用Al/Cr/AlN/Au/Cr/YAG复合结构压电薄膜能研制出Ku波段及K波段声体波微波延迟线(BAWDL),其Ku及K波段BAWDL器件插入损耗分别低至43.7 dB、54.6 dB。

Ta_2O_5膜压电效应研究

本文报道了新型Ta_2O_5压电膜的制备方法及其工艺技术。用×轴垂直取向性Ta_2O_5压电膜制作出了声表面波(SAW)延迟线及滤波器。并给出了相应的实验结果。

声表面波卷积器/存储相关器用ZnO膜的制备

本文介绍了声表面波(SAW)卷积器/存储相关器用优质氧化锌(ZnO)压电膜的制备方法。用平面磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出了激励SAW西沙瓦模式的优质ZnO膜。用同轴磁控溅射技术溅射ZnO陶瓷靶沉积出的优质ZnO膜制作ZnO/Si单片式SAW卷积器,使该器件性能进一步改善,同时给出了相应的实验结果。

整形手术修复创伤创面的应用

目的:研究应用整形手术方法,自体皮肤移植行创面修复,使全身各部位难治性创面能有比较简单、安全、效果好的治疗方法.方法:采用整形手术方法,全厚皮片移植和筋膜皮瓣移植修复全身各部位难治性创面.结果:应用全厚皮片或筋膜皮瓣修复创面,以及全厚片与筋膜皮瓣联合修复创面完成手术264例.皮片和皮瓣的成活率都能达到近100%,创面得到完全修复,外形及功能恢复良好.结论:利用全厚皮片修复肉芽创面;筋膜皮瓣修复有深部组织裸露创面;全厚皮片与筋膜皮瓣联合修复不能单独利用皮片或皮瓣修复的创面.该研究系列的整形手术方法比较简单安全,能有效解决全身各处用一般方法难修复的创面得于修复,并使功能及外形恢复良好.

口邻皮瓣修复下唇全缺损1例

病例介绍:某女:50岁。误咬雷管而致口腔炸伤,口周软组织裂伤缺损,颌骨骨折。口腔科治疗二个月,颌骨骨折临床愈合。因下唇缺损,口涎外流,张口困难,需卧位喂食而要求整形手术。转本科检查:下层全缺损,口周皮肤有七条放射状缝合瘢痕,口涎向下唇缺损口流出,双侧口角粘膜与下牙龈粘连,上下切牙间距约0.3～0.5cm,开闭口功能障碍。

小腿内侧逆行筋膜皮瓣修复足部创面的解剖研究及临床

在４４侧下肢标本上，通过动脉乳胶灌注、墨汁灌注及铸型腐蚀等方法，对小腿内侧筋膜逆行转位的可行性进行了探讨，该筋膜皮瓣的血供主要以胚后动脉下１／３段发出的肌间隙皮动脉供应，平均每侧有２．１（１～３）支，外径０．７ｍｍ；该筋膜皮支在胫骨内侧缘附近的浅、深筋膜内与胚后动脉在小腿中、上部发出的数条筋膜皮动脉及膝降动脉的隐支间有广泛的吻合，形成血管链，故以胫后动脉下１／３段的皮动脉为蒂，筋膜皮瓣可截取范围，上界可达髌骨上缘，下界可达内踝上１ｃｍ，前界至前正中线，后界达后正中线，面积达３５×１５ｃｍ，用以修复足部软组织缺损，经７例临床应用，效果满意。

前臂桡动脉皮支血管网逆行筋膜皮瓣的解剖学基础

目的：为前臂桡动脉皮支逆行筋膜皮瓣修复手部创面提供解剖学基础。方法：采用２３ 侧成人上肢标本，分别从桡骨茎突上５ ｃｍ 处桡动脉和肱动脉插管灌注墨汁和红色乳胶，解剖观测桡动脉下段发出的皮动脉分支数目、管径、高度、分布范围及与其它皮动脉的交通与吻合。结果：桡动脉下段（ 桡骨茎突尖上５ ｃｍ 范围内） 桡侧发出有２ ～３ 条，尺侧发出有０ ～２ 条皮动脉。这些皮动脉与腕部动脉网的皮支间有广泛的交通与吻合。结论：桡动脉下段的皮动脉及腕部动脉网的皮支多，而且非常恒定，通过前臂逆行筋膜皮瓣蒂部组织能为筋膜皮瓣提供充足的血供。可在前臂设计桡动脉皮支筋膜蒂逆行筋膜皮瓣修复手背或手掌的大面积软组织缺损。

ZnO/蓝宝石结构声表面波滤波器试验研究

该文从理论上计算得到了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构的声表面波相速度和机电耦合系数色散曲线。依据该色散曲线设计了ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构声表面波滤波器。采用在蓝宝石衬底上先制备ZnO薄膜然后再制作芯片结构的方案研制出了声表面波器件样品。研制过程中生长出了a面结构的ZnO薄膜,其中厚膜样品测试得到了3种声波模式,即模式0、1及2,模式0、1和2的频率分别为1 073.79 MHz,1 290.63 MHz和1 572.3 MHz,因此,间接测得了模式0、1和2的相速度分别为3 865.67m/s,4 646.25m/s和5 660.27m/s。

一种窄带温补型声表面波滤波器

该文介绍了一种频率温度系数接近0的窄带温补型声表面波滤波器。该滤波器采用黑化的42°Y-X钽酸锂为衬底,温度补偿层材料采用二氧化硅薄膜,利用化学机械抛光二氧化硅薄膜法获得了平坦表面形貌。制作了温补型声表面波滤波器样品并进行了测试。测试结果表明,该温补型声表面波滤波器的中心频率约1360 MHz,在-55~85℃内频率漂移仅约390 kHz,频率温度系数约-2×10^-6/℃,插入损耗约1.3 dB。

GaAs单片式声表面波存储相关器

主要介绍了一种利用具有压电特性的半导体材料砷化镓设计和制作的声表面波非线性效应器件 ;声表面波存储相关器 ,对在这种器件的研制过程中所应该注意的一些关键性问题 :如存储时间、离子注入等进行了较为详细的讨论 。

小儿整形外科门诊手术的护理配合

目的探讨小儿整形外科门诊手术的护理配合。方法对整形外科门诊手术57例患儿做充分的准备,严格筛选病例,术中严密病情观察及护理,加强麻醉苏醒期的呼吸道管理,严格离院标准。结果57例门诊手术患儿手术成功,术后24小时离院,切口Ⅰ期愈合。结论护士积极有效的配合和科学的护理是小儿整形外科门诊手术成功的关键。

ZnO/蓝宝石结构声表面波频散特性数值计算

从理论上计算出ZnO/蓝宝石结构声表面波相速度和机电耦合系数k2色散曲线。计算显示,在ZnO膜厚和声表面波器件波长之比h/λ=0.48时,IDT/ZnO(c面)/蓝宝石(c面)结构西沙瓦波1次模式的k2最大值为2.705%,理论声速为4 982m/s;在h/λ=0.3时,IDT/ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构西沙瓦波1次模式的k2最大值为4.34%,理论声速为5 509m/s。结果表明,IDT/ZnO(a面)/蓝宝石(r面)结构西沙瓦波1次模式的k2和声速较大,适于研制高频低损耗声表面波滤波器。

16～17GHz体声波延迟线技术研究

通过优化高频低损耗换能器设计、极薄压电薄膜生长、微波网络匹配、高频气密封外壳的电磁兼容设计等技术,研制出了工作在16～17GHz的微波声体波延迟线,其带宽为1 098MHz,延迟时间0.34μs,插入损耗-54dB,三次渡越抑制28dB,直通抑制44dB。

单片式西沙瓦波卷积器的研制

单片式西沙瓦波(Seza wa)卷积器是信号处理的重要器件。本文对西沙瓦波卷积器的基本原理、主要设计参数作了描述,给出了我所研制的西沙瓦波卷积器的测试结果,并对器件的性能改进作了讨论。

高次谐波声体波谐振器

简要介绍了高次谐波声体波谐振器的独特优越性和发展概况。用有关高次谐波声体波谐振器的设计理论进行了设计。报道了对高次谐波声体波谐振器的实验研究，给出了超高频和Ｌ波段高Ｑ值高次谐波声体波谐振器的实验结果。