蓝色有机电致发光材料8-羟基喹啉硼化锂结构表征及其对荧光性质影响研究

介绍了8-羟基喹啉硼化锂(LiBq4)的制备步骤及其提纯方法.通过X射线衍射谱、红外光谱、核磁共振谱、荧光光谱、紫外和可见光区域的吸收光谱测试分析,定性说明了物质结构形式;给出了中心原子B和配位体中的N,O原子之间的作用情况,指出B只与O形成共价键,而和N不形成共价键.给出了各种光现象发生所在的能级;指出了LiBq4是属于受B离子微扰的有机配位体(喹啉环)发光;实验结果还表明,除N和B间零共价作用外,B-O间的强共价键实际上是导致LiBq4荧光光谱发生蓝移的另一个非常重要的因素;在光谱分析基础上,对影响LiBq4荧光峰值波长的各种因素进行了研究.

静电感应晶体管的空间电荷效应(英文)

研究了静电感应晶体管(SIT)在大注入情况下出现的空间电荷效应,分析了空间电荷效应的物理机制.从理论上推导出了SIT工作在沟道势垒调制下的I V特性的解析表达式,实验结果表明它们符合得较好.在漏压增长过程中,有两种势垒出现(沟道势垒和空间电荷势垒),它们分别对应于沟道势垒调制和空间电荷势垒调制模式.随漏压增加,SIT逐渐从沟道势垒调制模式转向空间电荷势垒调制模式,对此转变物理过程给出合理解释,直观地给出了SIT在空间电荷效应作用下的变化规律.由于SIT小电流区域的沟道势垒调制使 SIT区别于其他器件,其中栅压对SIT空间电荷效应有非常重要的作用.

OTFT开关比对有源层厚度、杂质浓度间制约关系的影响研究

本文从物理角度推导并分析Brown方程的本质,并将之用于OTFT开关比的分析。首次通过引入关键参数K(杂质层电流/感应层电流)对OTFT开关比进行了分析,获得OTFT中有源层厚度和杂质浓度潜在的、可被允许的上限值。在此前提下,重点分析了有源层厚度、有效杂质浓度对OTFT开关比的影响。接着根据模拟分析的结果,提出一种有效且简易的判断OTFT是否逼近开关比极限的方法,并分别论证在逼近/远离开关比极限的情况下,降低NA和dS对开关比提升的有效性,及不同情况的OTFT应采取的优化措施。最后,文中给出了一定开关比约束下有效掺杂浓度/有源层厚度的临界关系曲线,它具有重要的实用意义,且进一步约束了OTFT中有源层厚度和有效杂质浓度的所允许的上限值。

一种新型不同容量逆变器并联方法

传统的逆变器并联方法一般只适用于功率容量一致的逆变器,针对不同容量逆变器的并联方法较少。本文在对几种不同容量逆变器并联方法分析研究的基础上,提出了一种新型的逆变器并联方法。该方法采用电压型逆变器和电流型逆变器混合并联的方式,利用电压型逆变器提供电压基准,电流型逆变器输出电流可以稳定电网电压,实现并联。该方法算法简单,适合大部分的逆变器并联场合,经过仿真和实验证明了其有效性和可行性。

退火温度对真空热蒸发法ZnS:In薄膜光电性能的影响

采用真空热蒸发工艺,在ITO基片上分别制备ZnS薄膜和In薄膜,在正交实验条件下,以2%掺杂浓度的In原子掺杂可获得较高的载流子浓度,在此基础上,研究了不同退火温度对ZnS:In薄膜的光、电性能的影响。

CuPc/SiO_2表面界面的电子状态研究(英文)

利用热生长工艺和热蒸发方法分别获得CuPc和Si O2薄膜层,通过原子力显微镜和X射线光电子能谱对其表面界面电子状态进行了研究,并采用高斯拟合方法对各谱进行了详细分析.结果表明,在氧原子的作用下,N1s ,C1s ,O1s和Cu2p都经受了一定的化学位移,从而使得各原子间的相互作用强度有所改变,这是导致OFET性能劣化的重要原因之一.对OFET而言,采用溅射工艺制备的Si O2层应比热氧化生长的Si O2层更合适.

环保型ZnS层状材料及纳米材料的研究进展

指出了ZnS是一种具有优异性能的环保型材料,根据固相形态不同,分为层状材料和纳米粉末材料并分别进行论述,进而按作用不同进行分类并做相应评述,这对认清ZnS的作用、研究热点,及为未来应用拓展和不同领域技术上相互借鉴,具有相应的参考作用。

环保型材料ZnS的掺杂研究

硫化锌(ZnS)是一种性能优异的半导体材料/发光材料,在ZnS走向商业化的过程中,良好的ZnS质量和理想的掺杂技术是关键。为此,文章就ZnS作为半导体材料和发光材料的的掺杂技术分别作简要分类和评述,并分述其优缺点,这对ZnS材料技术的发展、各技术间相互借鉴交叉具有一定的意义。

基于ZigBee的楼宇安防报警系统的设计与实现

为了实现对楼宇安全的实时监测,系统控制器采用高性能低功耗的CC2430单片机为核心,通过多种传感器对室内环境参量进行实时的数据采集。若发生异常信息,先进行本地报警,同时ZigBee无线网络将报警信息发送到保安室控制中心的汇聚节点,通知保安前去处理,最后控制中心通过GSM控制模块以短信息的形式通知户主,从而实现对楼宇安全的实时数据监控和报警集中管理。实验结果表明,系统能够可靠完成实时数据采集,并且能够精确的完成报警功能,提高了系统有效性。

一种快速瞬态响应无电容型LDO的设计

基于标准0.35μm CMOS工艺,提出一种快速瞬态响应的高稳定性LDO,其中包括带瞬态增强的类密勒补偿电路。带瞬态增强的类密勒补偿方式具有补偿方便、功耗较低等优点。根据该结论,使用带瞬态增强的类密勒补偿电路可以实现LDO的快速瞬态响应和宽负载宽电压下的环路稳定。采用Cadence EDA工具Spectre进行仿真,结果表明:在整个电压和负载变化范围内,环路增益至少为60dB,相位裕度至少为75.8°,环路稳定;负载从10μA跳变至200mA(tr=1μs)时,输出上冲/下冲电压小于100 mV,建立时间为1.4μs;电源电压抑制比(PSRR)约为70dB@1kHz;负载调整率为7.75‰,线性调整率为0.7‰,静态功耗约为60μA。

有机电致发光器件的电极研究

介绍了有机电致发光器件的电极研究进展,着重分析了电极性能的改进机制。对于阳极,为了利干空穴的注入和可见光透射,一般应选择功函数较高的透明导电材料。由于铟锡氧化物(ITO)是目前使用最为广泛的阳极材料,所以着重探讨了对ITO膜各种处理方法的改进机理,认为虽然氧空位浓度、C污染、Sn浓度都对ITO的表面功函数有影响,但C污染是主要因素;一种较好的处理方法是既能有效清除C污染,同时又尽可能使ITO膜的电阻率降低,所以中度氧等离子体处理是一种较为理想的途径。对于阴极,为了利于电子的注入,应选择功函数较低且化学性质较为稳定的材料;层状阴极可以较好地实现这一目的,并分别从隧穿效应、界面能带弯曲及减少淬灭中心等方面解释了金属/绝缘层双层阴极的改进机理,认为这三个方面共同起了作用,但主次不一。

基于Latch的CMOS动态比较器的研究

动态比较器具有高速和低功耗的优点,是现代集成电路中的重要单元。本文简单介绍了基于latch的CMOS动态比较器的基本工作原理以及国内外最新研究进展;分析了几种新型动态比较器的性能。

新型并三苯有机薄膜晶体管

以环氧树脂(Eproxyresin)为栅绝缘层材料,并三苯(Anthracene)为有机半导体载流子传输层, 分别利用旋涂及真空掩蔽蒸发,在以铜为栅极的基底之上成功研制了有机薄膜场效应晶体管(OTFT), 经测试得出器件的电子迁移率为2．34×10-2cm2／(V·s),跨导为0．49 μs．

一种用于AC/DC控制器中电压基准源的设计

提出了一种新颖的可用于AC/DC控制芯片中的基准电压源电路。此电路以PTAT(proportional to absolutetemperature)电流为偏置电流,利用二极管连接的MOS晶体管迁移率和阈值电压的温度系数可相互补偿的特性,产生与温度无关的栅源电压。该电路结构简单,既无启动电路也无运放,避免了运放失调对基准源的影响,设计采用CSMC0.5μm BCD工艺。仿真结果表明,该基准电压源具有较低的温度系数和高电源电压抑制比,可作为AC/DC控制芯片中迟滞比较器的参考源。

基于双组网模式的太阳能路灯控制系统

为了实现对太阳能LED路灯的远程管理,同时达到低功耗、高稳定性、低复杂度的要求,提出了一个基于ZigBee网络和RS-485总线的太阳能路灯远程控制系统。该系统使用ZigBee技术对太阳能路灯进行自组网,并采用RS-485总线作为补充。基于以上两种网络,上位机最终实现了对太阳能路灯的远程控制与管理。主要介绍了该系统的总体设计方法,软、硬件实现,以及在实际环境中的测试结果。

用于UHF RFID标签芯片的时钟源电路设计

设计了一种用于UHF RFID标签芯片的低功耗时钟源电路。该时钟源电路采用弛豫振荡器结构,振荡周期由电阻和电容定义。振荡器工作在电源电压1V,偏置电流100nA时,功耗为0.9μW,工作温度范围为-20℃~80℃,频率偏离1.92 MHz小于3%,电路设计符合UHF RFID标签系统要求。

FastRanDSac——一种高效的误匹配检测算法

图像之间存在光照变化、旋转、仿射变换,使得局部特征匹配后,误匹配无法避免.在正确匹配过半的前提下,提出一种简化的误匹配去除算法FastRanDSac,用于在极短时间内解决图像匹配对之间误匹配点的问题.初步实验表明,在平移、旋转、尺度缩放、视角以及光照变化的图像中,FastRanDSac能保存近100%的正确匹配对,而运行速度与RANSAC相比有大幅度的提高.

自适应无线通信系统的软件实现

以WinCE6.0为平台,编写并实现了一个集短信、语音、数据通信等功能于一体的自适应无线通信系统软件包。通过USB口将3G Modem与S3C6410开发板相连,USB口作为一个虚拟串口实现AT指令的传输。该系统不仅可以根据具体情况选择不同的通信方式进行通信,而且可以在CDMA1X网络和EVDO网络模式下进行自动切换和重选。测试结果表明,该系统可以安全稳定地工作,并在所有支持WinCE6.0平台的设备中都可以稳定高效地使用。

改进SIFT算法实现图像的快速匹配

为解决图像匹配耗时的问题,提出一种改进的图像匹配方案.在尺度不变特性变换(SIFT)算法的基础上,以特征点邻域灰度值的差熵大小来筛选稳定特征点,减少所需描述及匹配的不稳定特征点的数量,提高算法匹配效率.同时,改进误匹配去除算法,以大幅提高误匹配去除效率.实验结果表明,与SIFT及RANSAC相结合的图像匹配方案,或相关的改进方案相比,本方案可最大程度地保存最终匹配的特征点数量,并提高特征点匹配的实时性、匹配率及正确匹配率.

ITO作为源漏电极的有机场效应晶体管

报道了一种OFET,它采用ITO作为源漏电极,聚酰亚胺为绝缘层,CuPc为半导体层。实验结果表明,该器件具有明显的场效应性质,性能较好,载流子迁移率和开关比分别达2.3×10-3cm2/V.s、800,表明ITO是一种合适的、有前途的p型OFET源漏极材料。为此,本文对由电极材料和半导体材料间形成的接触电阻对OFET性能影响进行了分析。