新型热离子光电探测器

本文给出了一种新型热离子光电探测器的结构、特性和理论。这种多数载流子器件，在基本结构上异于普通的ｐ－ｉ－ｎ光电两极管，雪崩两极管及光电三极管，而又区别于其它多子器件：①存在着一个大的中央ｐ＋ｎ－结区域，它在功能上类似空穴存储库。③在ｐｎ两极管的周围处有一个特殊形状的ｎ＋＋ｐ＋ｎ－框架结构。普通光电两极管在６３３ｎｍ的绝对灵敏度为０．３５Ａ／Ｗ，新器件为１．３６Ａ／Ｗ。

宽势阱半导体光电器件研究

设计了一种新型宽势阱光电探测器件。介绍了该器件的结构形式、电流传输机制以及隧道效应和偏压对器件光探测灵敏度的影响。当器件光敏面积为 4 mm2 时 ,在光源测试条件为 :2 856 ,1 90 0 0 lx下 ,光电流达 0 .6 m A,加 1 .5 V反偏时达 2 4 m A,灵敏度分别为 2 .9A/ W及1 1 9A/ W。

超高頻再生放大器

文中给出了负电子电导两端网络再生放大器增益和频宽乘积的公式。讨论了放大器与负载耦合的选择问题。指出临界耦合不是最佳耦合,因而突出对这种耦合情况进行讨论没有多大的价值。文中给出的一系列曲线明显地表明了,研制增益10～30分贝,频宽5～10％的再生放大器的现实可能性。