短波紫外光照射对n型碲镉汞探测器的影响

用波长以１８４９和２５３７为主的短波紫外光对经阳极氧化的光电导器件进行一定时间的照射，结果表明，器件探测率和响应率显著提高．

碲镉汞光化学氧化钝化及机理分析

采用光化学氧化钝化方法 ,首次实现了对n型碲镉汞光电导探测器的表面钝化 ;利用XPS分析了不同光化学氧化条件对氧化的影响及氧化物的构成 ,探讨了光化学氧化钝化的机理 ,并对光化学氧化钝化和阳极氧化的两类探测器性能进行了比较。

HgCdTe体晶的组份均匀性分析

利用ＳＰＲＩＴＥ探测器的截止波长研究了布里奇曼、Ｔｅ溶剂和固态再结晶３种方法制备的ＨｇＣｄＴｅ体晶组份的均匀性。实验结果表明：３种方法生长的ＨｇＣｄＴｅ晶片的组份均匀性大致相当。用任意一种材料研制的一个８条ＳＰＲＩＴＥ探测器，其任意２条的截止波长差不大于０．８μｍ的概率大于９８％．

HgCdTe器件芯片成型离子束刻蚀掩蔽膜的改进

随着半导体技术的发展,尤其是红外薄膜台面型器件图形日愈微细化的情况下,传统的化学腐蚀技术远不能满足器件成型研制的要求,所以,干法刻蚀越来越成为器件制备的主要手段之一。而在该工艺中。