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一种嵌入铁电晶体管内容寻址存储器的高能效浮点运算结构
被引量:
2
1
作者
张力
高迪
+5 位作者
陈烁
卢旭东
庞展曦
陈闯涛
尹勋钊
卓成
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第6期1518-1524,共7页
随着数据密集型应用的日益增多,内存墙问题已成为制约计算效率的瓶颈。该文提出一种新型的浮点数(FP)运算结构,该结构嵌入了基于铁电场效应晶体管(FeFET)的三元内容寻址存储器(TCAM)以实现高效的计算。通过特定规则设计的超高密度TCAM结...
随着数据密集型应用的日益增多,内存墙问题已成为制约计算效率的瓶颈。该文提出一种新型的浮点数(FP)运算结构,该结构嵌入了基于铁电场效应晶体管(FeFET)的三元内容寻址存储器(TCAM)以实现高效的计算。通过特定规则设计的超高密度TCAM结构,可以用能效更高的TCAM搜索操作代替部分传统浮点运算,从而节约整体能耗。仿真实验证明,该文所提结构和运算执行流程,与常规浮点运算单元(FPU)相比,可以降低多达33%的能耗。
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关键词
铁电场效应晶体管
三元内容寻址寄存器
浮点运算
能效
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职称材料
题名
一种嵌入铁电晶体管内容寻址存储器的高能效浮点运算结构
被引量:
2
1
作者
张力
高迪
陈烁
卢旭东
庞展曦
陈闯涛
尹勋钊
卓成
机构
浙江大学信息与电子工程学院
浙江大学国际联创中心
出处
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021年第6期1518-1524,共7页
基金
国家自然科学基金(61974133,62034007)
浙江省重点研发计划(2020C01052)。
文摘
随着数据密集型应用的日益增多,内存墙问题已成为制约计算效率的瓶颈。该文提出一种新型的浮点数(FP)运算结构,该结构嵌入了基于铁电场效应晶体管(FeFET)的三元内容寻址存储器(TCAM)以实现高效的计算。通过特定规则设计的超高密度TCAM结构,可以用能效更高的TCAM搜索操作代替部分传统浮点运算,从而节约整体能耗。仿真实验证明,该文所提结构和运算执行流程,与常规浮点运算单元(FPU)相比,可以降低多达33%的能耗。
关键词
铁电场效应晶体管
三元内容寻址寄存器
浮点运算
能效
Keywords
Ferroelectric Field Effect Transistor(FeFET)
Ternary Content Addressable Memory(TCAM)
Floating-Point(FP)computing
Energy-efficiency
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种嵌入铁电晶体管内容寻址存储器的高能效浮点运算结构
张力
高迪
陈烁
卢旭东
庞展曦
陈闯涛
尹勋钊
卓成
《电子与信息学报》
EI
CSCD
北大核心
2021
2
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