原子层刻蚀装置专利技术现状

随着半导体制造工艺向5nm甚至3nm演进,原子层刻蚀工艺(简称为ALE)的关注度得到了提升。原子层刻蚀设备简介原子层刻蚀是指通过一系列的自限制反应去除单个原子层,不会触及和破坏底层以及周围材料的,一种能够精密控制被去除的材料量的先进半导体生产工艺。

扇出型晶圆级封装专利技术现状

随着半导体技术逐渐密度化和高集成度化,半导体先进制造工艺逐步趋于极限,芯片信号的传输量与日俱增,引脚数逐渐增加,封装行业逐渐由传统的双列直插式封装、小外形封装、引脚阵列封装逐渐走向焊球阵列封装、芯片尺寸封装、倒装、晶圆级封装、三维封装等封装形式。

高频封装基材关键专利技术现状

在国家加快发展电子元器件和5G产业的背景下,我国封装材料产业迅速发展,封装基板材料的技术水平也从中低端逐渐向高端发展,在技术发展中,高频类型的封装基材成为研发的主流方向。为了更好地满足高频信号传输的要求,高频封装基材需要具有低介电和低损耗两个特性。

钙钛矿纳米阵列材料研究进展

钙钛矿纳米阵列材料是一种性能优异,应用广泛的新型材料。本文对目前报道的钙钛矿纳米阵列材料的主要物理化学性质、应用领域等进行了简要概括,并重点陈述了近年来出现的钙钛矿纳米阵列材料制备工艺及其优缺点,如AAO模板法、Ti O2模板法、脉冲激光沉积法等。本文还对钙钛矿纳米阵列材料制备所面临的若干问题进行了简单陈述。

无铅压电陶瓷材料及器件专利发展概述

压电陶瓷材料及器件作为发展较快的基础电子元器件,已经广泛应用于电子行业的各个领域。但是,性能较好的锆钛酸铅(PZT)由于含有铅元素,在其制备及制品使用的过程中铅挥发对环境和人类健康造成巨大危害。因此,无铅的压电陶瓷材料及器件应运而生。本文对无铅压电陶瓷材料及器件的专利发展进行了一定的探讨,介绍了随着时间的推移无铅压电材料及器件在组成、结构或工艺的改进研究成果。本文还对制备器件的结构和性能所面临的问题进行了简单的阐述。