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适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计
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作者 周旺 李一男 +2 位作者 陈风凉 沈鑫 王留所 《电子与封装》 2023年第11期74-79,共6页
设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真... 设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真环境下的仿真结果。 展开更多
关键词 EEPROM LDO 宽电源电压 高启动速度 低功耗
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