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适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计
1
作者
周旺
李一男
+2 位作者
陈风凉
沈鑫
王留所
《电子与封装》
2023年第11期74-79,共6页
设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真...
设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真环境下的仿真结果。
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关键词
EEPROM
LDO
宽电源电压
高启动速度
低功耗
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职称材料
题名
适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计
1
作者
周旺
李一男
陈风凉
沈鑫
王留所
机构
中国电子科技集团公司第五十八研究所
出处
《电子与封装》
2023年第11期74-79,共6页
文摘
设计了一种适用于EEPROM的LDO电路。该电路在电源电压为2.3~5.7 V、工作温度为-60~135℃时可获得稳定的1.8 V输出电压,为EEPROM单元读取操作提供所需栅电压。采用国内0.18μm商用工艺,版图尺寸为480μm×100μm。给出了Hspice仿真环境下的仿真结果。
关键词
EEPROM
LDO
宽电源电压
高启动速度
低功耗
Keywords
EEPROM
LDO
wide power supply voltage
high startup speed
low power consumption
分类号
TN402 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
适用于EEPROM的宽工作条件LDO设计
周旺
李一男
陈风凉
沈鑫
王留所
《电子与封装》
2023
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