新型范德华绝缘体封装的MoS_(2)晶体管性能研究

以MoS_(2)为代表的二维半导体材料是下一代延续摩尔定律的潜在电子学新材料之一。然而,二维特性使得MoS_(2)中电子的输运行为对环境条件高度敏感。采用范德华绝缘体材料进行封装包覆,是目前消除二维半导体器件环境敏感性的有效方案之一。文章采用化学气相传输法制备新型范德华绝缘体材料CrOCl,并以少层CrOCl为介电层和封装材料,设计并制备了基于MoS_(2)的场效应晶体管。以CrOCl为底栅介电层及封装材料的MoS_(2)晶体管的室温场效应迁移率约为60 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1),2 K下进一步增大至100 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)。此外,相比于无封装MoS_(2)晶体管高达20 V的回滞窗口,CrOCl的包覆有效消除了晶体管转移特性的回滞现象,证明其在二维材料电子学中的应用潜力。

试论基于地理信息的电缆综合监控信息集成系统

本文主要把地理信息应用到电缆综合监控信息集成系统中进行一定的探讨,探讨了电缆综合监控系统方面的设计,主要介绍了电缆综合监控功能,并且指出系统在实际工程中的有效性,希望对于今后的电缆综合监控发展具有一定帮助。

试论高压单芯电缆护层接地问题

本文主要对于高压单芯电缆护层接地问题进行探讨,主要就单芯高压电缆的接地方式进行详细论述,在此基础上,就实际工程中遇到的问题进行讨论,并提出解决措施,希望能对于今后的电缆工程施工具有一定帮助。