盐酸林可霉素分子印迹膜电化学传感器的制备及应用

本文以盐酸林可霉素为目标分子,邻苯二胺为功能单体,采用循环伏安(CV)法,在玻碳电极表面成功制备了盐酸林可霉素聚合膜传感器。应用差分脉冲伏安(DPV)法和CV法对所制传感器的性能进行了研究。实验结果表明,该传感器具有良好的稳定性、重现性、选择性及准确性。用DPV法测定,盐酸林可霉素浓度在6.604×10^(-8)~1.204×10^(-6) mol/L范围内与其峰电流呈线性关系,相关系数r=0.9959,检出限为5.0×10^(-9) mol/L。该方法可用于实际样品的测定。

盐酸雷尼替丁分子印迹膜电极的制备与应用研究

目的建立一种测定盐酸雷尼替丁药物含量的新方法。方法以盐酸雷尼替丁为模板分子,邻苯二胺和甲基丙烯酸为功能单体,采用循环伏安电聚合法,制备盐酸雷尼替丁分子印迹膜电极,采用差分脉冲伏安法考察峰电流与盐酸雷尼替丁溶液浓度的关系。结果盐酸雷尼替丁在3.010×10^-7-6.172×10^-6 mol/L浓度范围内,峰电流与其浓度呈良好的线性关系,线性方程为Ip（μA）=-2.423c＋0.000 02（r=0.995 1）。结论该电极具有良好的选择性、重现性、稳定性、准确性,可用于盐酸雷尼替丁药物含量的实际测定。

盐酸左氧氟沙星分子印迹膜电化学传感器的制备及应用

以盐酸左氧氟沙星为目标分子,邻苯二胺和间苯二酚为功能单体,采用循环伏安（CV）法,在玻碳电极表面成功制备了盐酸左氧氟沙星分子印迹聚合膜传感器。采用差分脉冲伏安（DPV）法和CV法考察了所制传感器的性能。峰电流在1.0×10^-9-3.8×10^-7 mol/L范围内与浓度的线性关系良好,检测限为8.2×10^-10 mol/L。