期刊文献+
共找到15篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
光电建筑材料研究进展
1
作者 陶泉丽 邵中魁 +2 位作者 沈小丽 盛云庆 姚玉元 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第S02期74-78,共5页
在环境问题、可再生能源需求、光伏技术的发展以及政策支持的多重因素下,光电建筑作为一种可持续发展的解决方案,能够满足人们对绿色、环保建筑的需求,得到了较为广泛的关注。与建筑结合的光伏不同于传统场景中的光伏系统,需要考虑建筑... 在环境问题、可再生能源需求、光伏技术的发展以及政策支持的多重因素下,光电建筑作为一种可持续发展的解决方案,能够满足人们对绿色、环保建筑的需求,得到了较为广泛的关注。与建筑结合的光伏不同于传统场景中的光伏系统,需要考虑建筑的特点及设计需求,这要求对建筑及光伏技术都有充分的理解。本文主要介绍了光电建筑材料的研究进展,分析了硅材料电池、薄膜电池以及新型电池应用在建筑领域的优势与不足;归纳了适用于建筑不同构成部分光伏组件的结构及安装方式,并对比了不同条件下的实际使用效率;展望了光电建筑在设计和应用过程中所面临的问题及发展前景。本文旨在加深读者对光电建筑的理解,为相关的技术开发及设计提供思路。 展开更多
关键词 光电建筑 光伏技术 组件材料 建筑围护 效率衰减
下载PDF
空间用GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池的抗辐照性能及退化机制研究 被引量:3
2
作者 马大燕 陈诺夫 +4 位作者 陶泉丽 赵宏宇 刘虎 白一鸣 陈吉堃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期12-16,共5页
利用TFC光学膜系设计软件,设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的布拉格反射器在中心波长850 nm处反射率高达96%,可以使800~900 nm波段内红外光有效反射后被二... 利用TFC光学膜系设计软件,设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的布拉格反射器在中心波长850 nm处反射率高达96%,可以使800~900 nm波段内红外光有效反射后被二次吸收,提高了Ga As子电池的抗辐照能力。通过对两种电池结构A、B地面模拟辐照试验获得1 Me V电子辐照下Ga In P/Ga As/Ge太阳电池电学参数随辐照注量退化的基本规律。在此基础上应用PC1D模拟程序分析太阳电池内部的载流子输运机理,建立1 Me V电子辐照下两种电池结构中多数载流子浓度和少数载流子扩散长度随辐照电子注量变化的基本规律。研究结果表明,多数载流子浓度和少数载流子扩散长度均随入射电子注量的增大而减小,同时原电池结构A中多数载流子去除率和少数载流子扩散长度损伤系数明显高于新电池结构B,由此表明包含布拉格反射器的新电池结构具有更强的抗辐照能力。 展开更多
关键词 布拉格反射器 抗辐照 PC1D 多数载流子浓度 少数载流子扩散长度
下载PDF
GaAs基多结太阳电池TiO_2/Al_2O_3/SiO_2减反射膜的设计与制备 被引量:1
3
作者 付蕊 陈诺夫 +5 位作者 白一鸣 涂洁磊 刘虎 马大燕 陶泉丽 陈吉堃 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期38-42,共5页
宽光谱低反射率减反射膜对提高GaAs基多结太阳电池的光电转换效率至关重要。设计和制备了宽光谱TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜。理论研究发现,当TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜最佳物理厚度为41.74 nm/78.74 nm/94.98 nm时,在350~1... 宽光谱低反射率减反射膜对提高GaAs基多结太阳电池的光电转换效率至关重要。设计和制备了宽光谱TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜。理论研究发现,当TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜最佳物理厚度为41.74 nm/78.74 nm/94.98 nm时,在350~1 800 nm宽光谱范围内获得最小有效反射率为2.85%。依据理论设计,采用真空电子束蒸发法制备了相应厚度的TiO_2/Al_2O_3/SiO_2三层减反射膜,分光光度计测试结果表明,在350~1 800 nm宽光谱范围内,有效反射率为7.21%,且在485 nm和850 nm波长附近获得反射率极小值4.39%和2.16%。 展开更多
关键词 GaAs基多结太阳电池 TiO2/Al2O3/SiO2减反射膜 反射谱 电子束蒸发 有效反射率
下载PDF
非晶硅薄膜晶化方法
4
作者 陶泉丽 陈诺夫 +2 位作者 马大燕 王从杰 白一鸣 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第A02期84-87,共4页
多晶硅薄膜由于具有较高的载流子迁移率和良好的光电性能,广泛应用于集成电路及光电器件中,尤其在太阳电池领域引起了广泛关注。多晶材料晶界处会发生载流子的复合,降低载流子寿命。结晶度与晶粒尺寸是多晶硅薄膜取得良好性能的关键因素... 多晶硅薄膜由于具有较高的载流子迁移率和良好的光电性能,广泛应用于集成电路及光电器件中,尤其在太阳电池领域引起了广泛关注。多晶材料晶界处会发生载流子的复合,降低载流子寿命。结晶度与晶粒尺寸是多晶硅薄膜取得良好性能的关键因素,直接制备的多晶硅薄膜一般晶粒尺寸较小、晶界较多,所以常采用非晶硅晶化法制备出晶粒尺寸较大的多晶硅薄膜。介绍了几种常见的非晶硅薄膜晶化方法,总结了各种晶化方法的机理和制备的薄膜的物理性质。 展开更多
关键词 多晶硅 热退火 金属诱导晶化 激光晶化
下载PDF
本征薄层异质结(HIT)太阳能电池的研究现状及展望 被引量:5
5
作者 杨秀钰 陈诺夫 +5 位作者 陶泉丽 徐甲然 张航 陈梦 白一鸣 陈吉堃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1917-1927,共11页
HIT(Heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳能电池,即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池,利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构,从而结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池优良的特点。这种类型结构的电池可以在较低温度下(&... HIT(Heterojunction with intrinsic thin-layer)太阳能电池,即具有本征非晶硅薄层的异质结太阳能电池,利用了非晶硅薄膜/单晶硅衬底的异质结结构,从而结合了单晶硅和非晶硅太阳能电池优良的特点。这种类型结构的电池可以在较低温度下(<250℃)制造,具有良好的光照稳定性和温度稳定性,成本低而且效率高,目前效率达到26.7%。文章简述了HIT太阳能电池的结构和工作原理,并且总结了HIT电池的研究和应用现状。除此之外,还分析了提高HIT太阳能电池效率的方法以及HIT电池广阔的应用前景和巨大的商业化潜力。 展开更多
关键词 本征薄层异质结(HIT)太阳能电池 非晶硅薄膜 界面钝化 工艺优化
下载PDF
单晶硅快速磷扩散研究 被引量:1
6
作者 孔凡迪 陈诺夫 +5 位作者 陶泉丽 贺凯 王从杰 魏立帅 白一鸣 陈吉堃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第2期2091-2095,共5页
采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,... 采用传统方法向晶体硅中扩磷不仅耗时长,而且能耗多。使用快速热处理(RTP)方法可以在数十秒时间内达到磷扩散深度和浓度的要求,具有广阔前景。使用磷纸作为扩散源,结合快速热处理法对p型单晶硅片进行磷扩散,用磨角染色法探究扩散结深,获得了最为理想的p-n结扩散温度及时间。通过计算快速热处理条件下磷在硅中的扩散系数以及扩散激活能,分析了与传统扩散方法不同的原因。 展开更多
关键词 半导体材料 P-N结 快速热处理 磷扩散 扩散系数
下载PDF
锗/石墨/硅薄膜结构的制备及其性质分析 被引量:1
7
作者 牟潇野 陈诺夫 +3 位作者 白一鸣 杨博 陶泉丽 陈吉堃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第B12期192-196,共5页
利用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备出具有Ge/石墨/Si结构的薄膜样品,然后把其放入快速热退火(RTA)炉中退火。扫描电子显微镜(SEM)测试表明,石墨过渡层的引入缓解了Si、Ge之间的晶格失配和热失配。X射线衍射(XRD)分析表明450℃是Ge薄... 利用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备出具有Ge/石墨/Si结构的薄膜样品,然后把其放入快速热退火(RTA)炉中退火。扫描电子显微镜(SEM)测试表明,石墨过渡层的引入缓解了Si、Ge之间的晶格失配和热失配。X射线衍射(XRD)分析表明450℃是Ge薄膜晶化的临界衬底温度,750℃是使Ge薄膜RTA晶化程度明显提高的临界退火温度,30s是最佳退火时间。 展开更多
关键词 硅基Ge薄膜 石墨过渡层 衬底温度 快速热退火
下载PDF
多晶硅厚膜太阳电池最佳厚度理论设计 被引量:1
8
作者 贺凯 陈诺夫 +7 位作者 孔凡迪 白一鸣 牟潇野 杨博 陶泉丽 何海洋 陈心一 陈吉堃 《可持续能源》 2015年第4期33-41,共9页
晶体硅太阳电池是生产工艺最成熟、性能最稳定、应用最广泛的光电转换器件。目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳电池厚度进行了理论分析... 晶体硅太阳电池是生产工艺最成熟、性能最稳定、应用最广泛的光电转换器件。目前晶体硅太阳电池的厚度一般为200μm左右,这一厚度对于光电转换效率不是最佳值。本文分别从少子扩散和入射光吸收两方面对晶体硅太阳电池厚度进行了理论分析,获得晶体硅太阳电池的最佳厚度为49 μm。今后,晶体硅太阳电池的发展趋势必然是厚度为49 μm的晶体硅厚膜结构。 展开更多
关键词 多晶硅厚膜 太阳电池 少子扩散 厚度
下载PDF
快速光热退火制备硅基锗薄膜的机理研究
9
作者 王从杰 陈诺夫 +5 位作者 魏立帅 陶泉丽 贺凯 张航 白一鸣 陈吉堃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期4179-4183,共5页
采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用... 采用磁控溅射技术首先在单晶硅衬底上溅射石墨缓冲层,然后在石墨层上溅射沉积Ge薄膜。采用快速光热退火和常规热退火对Ge薄膜后续处理。通过X射线衍射及Raman光谱测试,研究不同退火条件下薄膜的晶化情况,揭示了光子在薄膜晶化中的作用。研究表明,光量子效应对锗薄膜晶化既有晶化作用,也有退晶化作用。 展开更多
关键词 硅基锗薄膜 常规热退火 快速光热退火 光量子效应
下载PDF
石墨衬底上多晶硅厚膜的生长及性质分析
10
作者 杨博 陈诺夫 +4 位作者 孔凡迪 牟潇野 陶泉丽 白一鸣 陈吉堃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期70-73,共4页
以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延... 以石墨片为衬底,利用磁控溅射技术生长多晶硅籽晶层,退火处理后用CVD制备多晶硅厚膜。XRD测试结果表明,在籽晶层上外延多晶硅厚膜具有高度的(220)取向,这说明外延层的择优取向延续了籽晶层的取向。SEM测试结果表明,石墨片上多晶硅外延层生长良好,说明石墨片作为廉价衬底之一,有望投入工业化生产,以降低太阳能电池的制作成本。 展开更多
关键词 石墨 籽晶层 择优取向 退火
下载PDF
对非晶硅薄膜进行快速磷扩散以获得本征薄层异质结
11
作者 杨秀钰 陈诺夫 +4 位作者 张航 陶泉丽 徐甲然 陈梦 陈吉堃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第20期3353-3357,共5页
本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(p-c-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩... 本征薄层异质结(HIT)太阳能电池具有优异的性能,包括效率高、成本低、稳定性好、制备温度低等。本研究利用磁控溅射技术在p型单晶硅(p-c-Si)衬底上制备一定厚度的本征非晶硅薄膜(i-a-Si),以磷纸为扩散源,通过快速热扩散(RTD)方法进行扩散得到具有p-n结的掺杂非晶硅层(n+-a-Si),最终得到n+-a-Si/i-a-Si/c-Si的异质结结构。系统地研究了扩散过程对a-Si膜(包括i-a-Si和n+-a-Si)晶化程度以及p-n结深度的影响,利用拉曼光谱(Raman)、X射线衍射(XRD)仪、台阶仪、扫描电镜(SEM)等对a-Si膜进行表征,并利用金相显微镜测量p-n结(采用磨角染色法染色)深度,从而获得制备p-n结的最佳扩散温度和时间。 展开更多
关键词 本征薄层异质结(HIT)太阳能电池 非晶硅薄膜 磁控溅射 P-N结 快速热扩散
下载PDF
表面多孔硅层对单晶硅太阳电池性能的影响(英文)
12
作者 徐甲然 陈诺夫 +5 位作者 石岱星 陶泉丽 吕国良 杨秀钰 张航 陈吉堃 《微纳电子技术》 北大核心 2019年第3期187-194,共8页
反射率对太阳电池的性能至关重要。采用电化学法在单晶硅衬底上制备多孔硅来降低器件的反射率,并采用快速热退火法对多孔硅层进行磷扩散处理,进而制备了单晶硅太阳电池。扫描电子显微镜(SEM)显示出单晶硅表面形成了孔径均匀的多孔硅层,... 反射率对太阳电池的性能至关重要。采用电化学法在单晶硅衬底上制备多孔硅来降低器件的反射率,并采用快速热退火法对多孔硅层进行磷扩散处理,进而制备了单晶硅太阳电池。扫描电子显微镜(SEM)显示出单晶硅表面形成了孔径均匀的多孔硅层,且孔径随着刻蚀时间的增加而增大;紫外-可见光分光光度计表明,该多孔硅层的反射率在400~1 100 nm的光谱范围达到12%;磷扩散后薄层方块电阻达到42Ω/□,证明多孔硅层促进了磷扩散。最终在850℃、40 s快速热退火扩散条件下,成功制备出了效率为12.32%、短路电流密度为27.99 mA/cm^2、开路电压为0.49 V以及填充因子达到71%的太阳电池。 展开更多
关键词 太阳电池 多孔硅 反射率 快速热处理 磷扩散
下载PDF
采用Si_(1-x)Ge_x渐变缓冲层技术生长Si基Ge薄膜及其性质分析
13
作者 张航 陈诺夫 +3 位作者 杨秀钰 徐甲然 陈梦 陶泉丽 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第2期549-555,共7页
利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si_(1-x)Ge_x缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜进行退火处理。采用X薄膜表征。结果表明:使用该方法制备的Ge800℃,110 s的退火条件下随衬底温度的升... 利用超高真空磁控共溅沉积系统在Si(100)衬底上溅射Ge组分渐变的Si_(1-x)Ge_x缓冲层,并在其上制备Ge薄膜,采用快速热退火(RTA)对Ge薄膜进行退火处理。采用X薄膜表征。结果表明:使用该方法制备的Ge800℃,110 s的退火条件下随衬底温度的升高,Ge500℃时磁控溅射沉积的Ge薄膜,经800℃,110 s尺寸达到41 nm,为后续替代锗单晶作为多结电池衬底材料打下良好的基础。 展开更多
关键词 磁控溅射 Ge薄膜 快速热退火 Si1-xGex缓冲层 择优生长
下载PDF
用于多结太阳电池的均匀聚光菲涅耳透镜的设计与分析 被引量:4
14
作者 付蕊 陈诺夫 +4 位作者 刘虎 白一鸣 马大燕 陶泉丽 陈吉堃 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第12期244-251,共8页
设计了一种适用于GaInP/GaInAs/Ge多结太阳电池,可在300~1800nm宽光谱范围内实现均匀聚光的菲涅耳透镜。通过实际测试,得到GaInP/GaInAs/Ge多结太阳电池的量子效率图谱和透镜主体材料硅胶的折射率色散曲线,在此基础之上采用多焦点与多... 设计了一种适用于GaInP/GaInAs/Ge多结太阳电池,可在300~1800nm宽光谱范围内实现均匀聚光的菲涅耳透镜。通过实际测试,得到GaInP/GaInAs/Ge多结太阳电池的量子效率图谱和透镜主体材料硅胶的折射率色散曲线,在此基础之上采用多焦点与多设计波长相结合的方法,对菲涅耳透镜进行优化设计。基于该方法建立了几何聚光比为625倍,环距为0.3mm的透镜模型以及聚光效率、均匀性等聚光性能参数的计算模型,并利用蒙特卡罗光线追迹及实验测试的方法对其聚光性能进行分析。研究结果表明,所设计的透镜在300~1800nm宽光谱范围内以及三个子电池的光谱响应波段内都能较好地实现均匀会聚,同时具有较高的聚光效率,聚光分布均匀度高于75%,聚光效率超过80%。 展开更多
关键词 光学设计 菲涅耳透镜 多波长和多焦点设计 多结太阳电池 均匀性
原文传递
包含布拉格反射器的空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池性能 被引量:4
15
作者 马大燕 陈诺夫 +4 位作者 陶泉丽 赵宏宇 刘虎 白一鸣 陈吉堃 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期386-392,共7页
利用光学膜系设计软件(TFCalc),设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。实验结果表明由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的DBR在中心波长850nm处的反射率高达96%,使800~900nm波段内红外光被有效反射... 利用光学膜系设计软件(TFCalc),设计出空间用GaInP/(In)GaAs/Ge三结太阳电池的分布式布拉格反射器(DBR)。实验结果表明由15对Al0.2Ga0.8As/Al0.9Ga0.1As组成的DBR在中心波长850nm处的反射率高达96%,使800~900nm波段内红外光被有效反射后又被二次吸收,提高了GaInAs中间电池的抗辐照能力。基于细致平衡原理,结合p-n结形成机理,对原电池结构和包含DBR的新电池结构进行厚度优化。通过对比中电池厚度为2.93μm的原电池结构和中电池厚度为1.2,1.6,2.0μm的新电池结构的辐照前外量子效率(EQE),发现新电池结构基本弥补了基区减薄对短路电流的影响。通过分析两种结构电池辐照前后的电学性能,发现DBR结构的存在明显改善了辐照后电池电流的衰减,并且中电池厚度为1.6μm的新电池结构辐照后效率高达24.87%,较原电池结构提升了近2%,基本接近中电池厚度为2.0μm的新电池结构,且明显高于1.2μm中电池厚度的新电池结构。 展开更多
关键词 薄膜 分布式布拉格反射器 三结太阳电池 二次吸收 抗辐照 厚度优化
原文传递
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部