φ50mm3C-SiC薄膜的CVD生长及其特性研究

首次报道了在Si衬底采用化学汽相沉积 (CVD)技术生长出直径达5 0mm的大面积优质 3C SiC薄膜 ,表面光亮如镜。作者利用X 射线衍射、傅里叶红外变换吸收谱、X 射线光电子能谱和霍耳测量等对薄膜进行了表征。并在利用所长 3C

Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层表面交错直线线痕的形貌分析

以CdTe为衬底的Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层表面边角处时常出现交错直线线痕,其所及之处破坏了表面的光洁度和平整性.对交错直线线痕进行了研究分析,并首次提出CdTe衬底中交错位错排的存在,导致Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层表面交错直线线痕的形成,再现性实验充分证明了这一推断的正确性。

GaAs上热壁外延Cd_（0．96）Zn_（0．04）Te薄膜

国内首次报道用热壁外延（ＨＷＥ）技术在（１００）ＧａＡｓ衬底上生长出Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ（１１１）薄膜。结果表明，薄膜在１５～２０μｍ厚时Ｘ射线双晶衍射回摆曲线半高宽在１００弧秒以下，其位错腐蚀坑密度等于甚至小于１０￣３ｃｍ￣（－２）薄膜组分、层厚均匀，表面光亮如镜，质量达到国际先进水平，优于国内Ｃｄ＿（０．９６）Ｚｎ＿（０．０４）Ｔｅ块晶，是外延生长ＨｇＣｄＴｅ的理想替代式衬底。文章强调了生长前ＧａＡｓ衬底，多晶源预处理的重要性。

单温区碲镉汞液相外延生长

本文首次报道单温区开管生长优质碲镉汞液相外延层,表面光亮、界面平坦清晰。组分x≤0.2时,均匀性△x=0.004,室温下红外透过率达50％以上,典型X射线双晶衍射迥摆曲线半峰宽为176arc s,原生样品呈P型。在77K下,载流子浓度为0.5～5×10^(16)cm^(-3),霍耳迁移率为2.5～4×10~2V^(-1)s^(-1)。文章还详细研究了初始过冷度△T_i对碲镉汞液相外延的影响。

低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延

在国内本文首次报道用改进的开管等温汽相外延法,重复很好地生长出低x值Hg_(1-x)Cd_xTe汽相外延层,其组分、膜厚可控,x值低至0.16,膜厚达110μm。用金相显微镜、扫描电子显微镜、范德堡霍耳测量以及红外透射光谱研究分析了外延层的表面、剖面金相形貌、组分及其分布,电、光性能等。在12mm×13mm外延片上,表面光亮如镜,剖面层次分明,界面极为平直。在室温下,其红外透过率达40％。面扫表明,外延层组分纵深均匀性良好。实验制得的外延片多呈p型,在液氮温度下,典型原生外延片的载流子浓度为2.3×10^(16)cm^(-3),霍耳迁移率为3.62×10~2cm^2/V·s(x=0.21)。

CdTe衬底中微细孪晶对Hgl-xCdxTe液相外延层的影响

本文首次报导了作为 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延衬底的 CdTe 晶片中存在着狭窄的微细孪晶,其宽度由数十微米到数微米。这些微细孪晶在液相外延过程中将向Hg_(1-x)Cd)_xTe 外延层延伸,形成相应的 Hg_(1-x)Cd_xTe 微细孪晶,从而导致外延层表面出现细长的直线线痕,程度不同地破坏了 Hg_(1-x)Cd_xTe 液相外延层表面的平整性和光洁度。

长波Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延材料的研制及其特性

在改进的开管液相外延生长系统中用富碲母液已经重复地长出了长波(8～14μm)Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层。在外延过程中低温区的纯汞能够起到维持系统的汞压平衡和调整母液组份的作用,系统的温度分布、两温区降温的同步性及生长过冷度△T是液相外延Hg_(1-x)Cd_xTe的重要参量。通过对Hg_(1-x)Cd_xTe外延层的组份、结构分析和原生片的电参数测试表明,所生长的长波Hg_(1-x)Cd_xTe外延材料质地十分优良。文章最后还对Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延生长中的几个常见问题进行了简要的讨论,其中最重要的是应努力改善CdTe衬底的质量。

用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级

本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１～０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深能级，与样品（１１１）ＣｄＴｅ的Ａ、Ｂ面和表面光洁度关系不大。

Hg_(1-X)Cd_xTe液相外延层室温红外透射谱分析

首次系统、深入地探讨了Ｈｇ（１－Ｘ）ＣｄｘＴｅ液相外延层的界面结构、组分分布对其室温红外透射谱诸项和吸收边的影响，详细分析了“假生长”的特征、形成机理及严重危害。

碲镉汞液相外延层室温红外透射谱顶上翘

本文首次报道Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延生长终止后,由于Hg浅扩散和Cd从表面挥发造成外延层上表Hg含量上升而Cd含量下降,组分分布很不均匀。当这一表层达到一定厚度时将导致室温红外透射谱顶后尾向长波方向上翘。表层组分变异程度及“谱顶上翘”位置、陡缓的决定因素是外延层组分、晶体质量和终止生长后降温过程的条件。具有室温红外透射谱顶上翘的Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层不能用于制作探测器件。