不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响

为了研究不同衬底条件对MEMS压阻传感器性能的影响，采用3种掺杂条件的衬底进行实验测试．在各步骤热过程后，对3种衬底条件下压阻区、引出区和保护框的方块电阻进行了测量和分析．通过对各部分方块电阻的测量可以看出，对于压阻区（P^-区），A#和B#的方块电阻在开始注入扩散时相差很小，而由于注入杂质在高温下进一步扩散，衬底掺杂浓度对扩散后杂质分布的影响加大，方块电阻在后续的热过程中差别增大．通过比较不同衬底条件下各个热过程后的压阻数据，发现在3种掺杂条件中，20～40Ω·cm的衬底最符合预期压阻的设计．此结论已用于指导实际产品生产．