动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型

在SOI(绝缘衬底上的硅)器件的设计过程中,为使其具有较高的耐压水平,可优化器件的RESURF(降低表面电场)效应。而在实际电路工作过程中,由于SOI RESURF器件承受动态耐压的缘故,衬底深耗尽效应的存在将会导致衬底耗尽区出现,器件的RESURF效应将会发生改变,从而使器件的实际耐压性能发生改变。基于此,提出动态耐压下SOI RESURF器件的二维电场解析模型,通过求解相应的二维泊松方程,获取新的表面电场分布表达式。并对动态耐压下器件的击穿特性进行分析,阐述动态耐压下促使器件RESURF效应改善的物理机制。与此同时,依据新的表面电场分布表达式,优化衬底掺杂浓度,以使SOI RESURF器件在各类功率集成电路中具有更好的实用性。最后由仿真分析验证了所提模型的正确性。

微波无线电力传输的微带阵列天线设计

为改善传统微带天线的方向性和增益系数,设计了一种基于微带天线的阵列天线模型,并通过电磁仿真软件HFSS对其进行仿真,获取了天线的回波损耗以及二维和三维增益方向图。分析得知,虽然天线阵的回波损耗比单个微带天线的回波损耗要差,但是提高了其辐射增益以及方向性,有益于提升微波无线电力的传输效率和传输距离。