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TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析
1
作者
陈维
德
雨.本德
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第1期7-10,共4页
TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2...
TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。
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关键词
俄歇跃迁
双层结构
TiN_x/TiSi_x
快速热退火
深度分布
界面反应
处理法
扩散势垒
横向扩散
硅化物
下载PDF
职称材料
题名
TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析
1
作者
陈维
德
雨.本德
机构
中科院半导体所
比利时大学际微电子中心
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990年第1期7-10,共4页
文摘
TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。
关键词
俄歇跃迁
双层结构
TiN_x/TiSi_x
快速热退火
深度分布
界面反应
处理法
扩散势垒
横向扩散
硅化物
分类号
TB7-55 [一般工业技术—真空技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析
陈维
德
雨.本德
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
1990
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