期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
TiN_x/TiSi_x双层结构的俄歇深度分析
1
作者 陈维 雨.本德 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 1990年第1期7-10,共4页
TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2... TiN的俄歇分析十分困难。这主要是由于主N俄歇跃迁KL_(23)L_(23)(379eV)与Ti L_3M_(23)M_(23)(387eV)重叠的缘故。本文采用窄能量窗口选择和谱图叠减处理法精确的分析了TiN_X/TiSi_X双层结构中N的深度分布,同时给出了有关Ti/Si,Ti/SoO_2/Si在快速热退火后界面反应和产物的结果。 展开更多
关键词 俄歇跃迁 双层结构 TiN_x/TiSi_x 快速热退火 深度分布 界面反应 处理法 扩散势垒 横向扩散 硅化物
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部