1
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激光退火在背照式CCD图像传感器中的应用研究 |
钟玉杰
雷仁方
林珑君
李睿智
张勇
曲鹏程
郭培
廖乃镘
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2023 |
0 |
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2
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CCD纵向溢出漏结构工艺仿真与实现 |
雷仁方
王晓强
杨洪
吕玉冰
郑渝
李利民
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
3
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3
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CCD表面暗电流特性研究 |
雷仁方
王艳
高建威
钟玉杰
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《电子科技》
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2014 |
4
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4
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CCD MPP结构制作工艺技术研究 |
雷仁方
杜文佳
李睿智
郑渝
翁雪涛
李金
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
2
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5
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MPP CCD扩散暗电流温度特性分析 |
雷仁方
李仁豪
廖晓航
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
2
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6
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MPP CCD暗电流温度特性研究 |
雷仁方
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《电子科技》
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2012 |
3
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7
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工艺过程对MPP CCD暗电流的影响研究 |
雷仁方
许宏
曾武贤
李仁豪
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
0 |
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8
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减少硅片湿法清洗工艺铁离子沾污研究 |
廖乃镘
龙飞
罗春林
雷仁方
李贝
李仁豪
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2011 |
3
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9
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γ辐照对1024×1152可见光CCD的影响研究 |
钟玉杰
周玉红
雷仁方
汪朝敏
李睿智
王小强
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
3
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10
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消除CCD不良背景的工艺研究 |
李平
郑杏平
李仁豪
雷仁方
许宏
韩恒利
陈捷
张故万
汪琳
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《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
1
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11
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823×592元内线转移CCD图像传感器 |
杨洪
雷仁方
郑渝
吕玉冰
翁雪涛
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2015 |
0 |
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12
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采用不同反应气源制备的Si_3N_4薄膜的特性比较 |
张故万
宋爱民
雷仁方
高燕
罗春林
伍明娟
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2009 |
1
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13
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颗粒对CCD光刻图形完整性的影响分析 |
张故万
袁安波
雷仁方
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
2
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14
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基于湿法腐蚀工艺的高性能黑硅光电探测器 |
黄建
雷仁方
江海波
刘钟远
李睿智
朱继鑫
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2021 |
1
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15
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硅基线性模式APD焦平面研制 |
郭安然
雷仁方
黄建
邓光平
马华平
黄烈云
谷顺虎
郭培
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《半导体光电》
CAS
北大核心
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2022 |
0 |
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16
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CCD热工艺过程的硅片翘曲优化研究 |
吴可
邓涛
雷仁方
向鹏飞
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
0 |
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17
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CCD光刻图形缺陷的形成及消除措施 |
吴可
雷仁方
李佳
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《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
0 |
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18
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CCD制作中的PCM测试图形 |
张振宇
雷仁方
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《半导体光电》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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19
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低损耗硅波导刻蚀技术研究 |
杨修伟
雷仁方
袁安波
岳志强
李琳
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《电子技术(上海)》
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2021 |
0 |
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20
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硅背面减薄技术及其在光电探测器中的应用 |
江海波
胡莉娟
陶启林
雷仁方
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《电子技术(上海)》
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2019 |
0 |
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