集成电路中的MOSFET栅控电阻

工作在非饱和区的MOSFET实际上是一个电压控制电阻,它不仅准确且连续可调.在分析MOSFET栅控电阻的线性特性基础上,通过使用差动运算电路,可抵消掉非线性偶次项;施加适当衬底偏压,可使非线性高次项明显减小.对于兆欧级有源电阻,设计中采用等沟道长度单元MOSFET串联和交叉布局的平衡结构,保证工艺一致.由此制得了线性好、动态范围宽、可调范围大的兆欧级有源电阻.