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砷化镓MESFET器件的电路模拟 被引量:1
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作者 杨国洪 范恒 +3 位作者 王碧娟 姚林声 雷少莉 夏冠群 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第2期102-108,共7页
鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性,本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法,并从理论上解决了该方法在迭代求解过程中存在的隐函数问题,以及解的唯一性问题。同时提出了加速求解的方法,在此基础上设计的软件可获得... 鉴于器件模拟参数在电路模拟中的重要性,本文选择了较为理想的模型参数提取方法─统计试验法,并从理论上解决了该方法在迭代求解过程中存在的隐函数问题,以及解的唯一性问题。同时提出了加速求解的方法,在此基础上设计的软件可获得精确的器件模型参数。该软件与通用的SPICE3集成为一个针对GaAsMESFET器件的电路模拟系统。本文给出了该系统对不同的电路形式在不同的器件参数下的模拟结果,为我们的GaAs600门门阵列,四位同步计数器电路等课题的成功研制,发挥了重要的作用。 展开更多
关键词 电路 模拟 砷化镓 MESFET器件
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SPICE程序中MESFET模型参数的撮
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作者 雷少莉 王碧娟 《科技通讯(上海)》 CSCD 1991年第3期55-58,共4页
关键词 SPICE MESFET 模型参数 电路模拟
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